КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, высокочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для работы в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях ВЧ.
Граничная частота в схеме с общим эмиттером при Uкб =20 В, Iк = 10 мА не менее:
- КТ3108А, КТ3108Б …. 250 МГц
- КТ3108В …. 300 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =10 В, Iк = 10 мА, f = 30 МГц не более 250 пс
Коэффициент шума при Uкэ =5 В, Iк = 1 мА, f = 100 МГц, Rr = 50 Ом не более 6 дБ
Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для КТ3108А, КТ3108Б не более 175 нс
Время задержки при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, Uэб = 0,5 В, Rк = 275 Ом для КТ3108А, КТ3108Б не более 18-35 нс
Время спада при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для КТ3108А, КТ3108Б не более 25-50 нс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Т = 298 К, Iэ = 0,1 мА не менее 40-100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Т = 298 К, Iэ =10 мА для КТ3108А, КТ3108Б не менее 50-150
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Т = 298 К, Iэ =10 мА для КТ3108В не менее 100-30
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Т = 298 К, Iэ =50 мА для КТ3108А, КТ3108Б не менее 15-70
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Т = 298 К, Iэ =50 мА для КТ3108В не менее 20-70
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,25 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,8-1 В
Обратный ток коллектора при Uкб = 60 В, Т = 298 К для КТ3108А не более …. 0,2 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 45 В, Т = 298 К для КТ3108Б, КТ3108В не более …. 0,2 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 45 В, Т = 398 К не более …. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб = 5 В, Т = 298 К не более …. 0,1 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб = 5 В, Т = 398 К не более …. 10 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В не более …. 5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1 В не более …. 6 пФ
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 213-298 К …. 300 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...