2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В, КТ118А, КТ118Б, КТ118В

Отечественные транзисторы

2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В, КТ118А, КТ118Б, КТ118В — кремниевые эпитаксиально-планарные двухэмиттерные p-n-p транзисторы, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах модуляторов.

кт118

Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 0,5 мА, Т = 298 К не более:

  • 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В …. 0,2 мВ
  • 2Т118В, КТ118Б …. 0,15 мВ

Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 0,5 мА, Т = 213 К не более:

  • 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В …. 0,4 мВ
  • 2Т118В, КТ118Б …. 0,3 мВ

Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 0,5 мА, Т = 398 К не более 0,6 мВ

Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 1,5 мА, Т = 298 К не более:

  • 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В …. 0,2 мВ
  • 2Т118В, КТ118Б …. 0,15 мВ

Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 1,5 мА, Т = 398 К не более 1,2 мВ

Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 1,5 мА, Т = 213 К не более 0,18 мВ

Сопротивление открытого ключа при Iэ = 2 мА, Iб = 2 мА, Т = 298 К не более:

  • 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В …. 100 Ом
  • 2Т118В, КТ118Б …. 120 Ом

Сопротивление открытого ключа при Iэ = 2 мА, Iб = 2 мА, Т = 398 К не более:

  • 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В …. 60 Ом
  • 2Т118В, КТ118Б …. 70 Ом

Сопротивление открытого ключа при Iэ = 20 мА, Iб = 40 мА, Т = 298 К не более:

  • 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В …. 20 Ом
  • 2Т118В, КТ118Б …. 40 Ом

Сопротивление открытого ключа при Iэ = 20 мА, Iб = 40 мА, Т = 398 К не более:

  • 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В …. 40 Ом
  • 2Т118В, КТ118Б …. 80 Ом

Сопротивление открытого ключа при Iэ = 20 мА, Iб = 40 мА, Т = 213 К не более:

  • 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В …. 50 Ом
  • 2Т118В, КТ118Б …. 80 Ом

Ток закрытого ключа при Uээ=30В для 2Т118В, КТ118Б и при Uээ=15В для 2Т118А, 2Т118Б,  КТ118А, КТ118В не более:

  • Т = 298 К …. 0,1 мкА
  • Т = 398 К …. 5 мкА
  • Т = 213 К …. 0,1 мкА

Напряжение на управляющих переходах при Т = 298 К и Iб = 20 мА не более 1В

Асимметрия сопротивления открытого ключа при Т = 298 К, Iб = 40 мА, Iэ = 20 мА не более 50 %

Обратный ток коллектор-база 1, коллектор-база 2 при Т = 298 К и Uк = 15В не более 0,1 мкА

Время выключения транзисторной структуры при Rи = 1 кОм, Iб = 20 мА, Епит = 5 В не более 500 нс

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора при температуре жала не более 523 К в течении не более 9 секунд, мощность паяльника не более 60 Вт с напряжением 6-12 В.

Обновлено: 24.02.2016 в 00:38 | Просмотров: 6 852
Загрузка...
Похожие статьи
КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г
КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, усилительные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,3 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0,5 В, Iк = 10 мА, Т = 298 К: КТ357А, КТ357В .......

2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д - транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n регенераторные ВЧ. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при АМ, в умножителях  частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выходная мощность при Uкэ = 28 В, f = 175 МГц, Тк ≤ 313 К 2Т922А,  КТ922А ... 5 Вт 2Т922Б, КТ922Б ... 20 Вт КТ922Г ... 17 Вт КТ922Д ... 35 Вт 2Т922В, КТ922В ......

КТ352А, КТ352Б
КТ352А, КТ352Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах ВЧ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ352А — зеленая и розовая КТ352Б — зеленая и желтая Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее 200 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1...

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные. Предназначены для усиления сигналов ВЧ и СВЧ и для работы в схемах переключения. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА: 1Т313А ... 20-250 1Т313Б ... 20-80 1Т313В ... 60-250 ГТ313А, ГТ313Б ... 20-200 ГТ313В ... 30-170 Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 100 МГц: 1Т313А ... 3-10 ...

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л  — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, высокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для работы в схемах генерирования и переключения сигналов НЧ и ВЧ, являются комплементарными транзисторами КТ3102А-3. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ3107А — голубая и...

Добавить комментарий

Войти с помощью: