2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г

2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г — кремниевые планарные однопереходные с n — базой транзисторы. Предназначены для работы в маломощных генераторах.

кт117

Коэффициент передачи напряжения при Uб1б2=10 В, Т = 298 К :

  • 2Т117А,  2Т117В, КТ117А,  КТ117В …. 0,5-0,7
  • 2Т117Б, 2Т117Г …. 0,65-0,85
  • КТ117Б, КТ117Г …. 0,65-0,9

Коэффициент передачи напряжения при Uб1б2=10 В, Т = 343 К :

  • 2Т117А,  2Т117В, КТ117А,  КТ117В …. 0,45-0,7
  • 2Т117Б …. 0,6-0,85
  • 2Т117Г …. 0,6-0,8
  • КТ117Б, КТ117Г …. 0,6-0,9

Коэффициент передачи напряжения при Uб1б2=10 В, Т = 213 К :

  • 2Т117А,  2Т117В, КТ117А,  КТ117В …. 0,5-0,8
  • 2Т117Б, 2Т117Г …. 0,65-0,9
  •  КТ117Б, КТ117Г …. 0,65-0,95

Ток включения эмиттера при Uб1б2=10 В не более 20 мкА

Ток включения эмиттера при Uб1б2=10 В не более 1 мкА

Остаточное напряжение эмиттер-база при Т = 213-298 К не более  5В

Остаточное напряжение эмиттер-база при Т = 343 для 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г не более  4В

Остаточное напряжение эмиттер-база при Т = 343 для КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г не более  4В

Межбазовое сопротивление при Т = 298 К:

  • 2Т117А, 2Т117Б …. 4-7,5 кОм
  • 2Т117В, 2Т117Г …. 6-9 кОм
  • КТ117А, КТ117Б …. 4-9 кОм
  • КТ117В, КТ117Г …. 8-12 кОм

Межбазовое сопротивление при Т = 343 К:

  • 2Т117В, 2Т117Г …. 6-15 кОм
  • КТ117В, КТ117Г …. 6-18 кОм

Межбазовое сопротивление при Т = 213 К:

  • 2Т117В, 2Т117Г …. 3-8,5 кОм
  • КТ117В, КТ117Г …. 4-12кОм

Температурный коэффициент межбазового сопротивления 0,1-0,9 % / К

Наибольшая частота генерации 200 кГц

Обратный ток эмиттера при Uб1б2=30 В, Т = 298 К не более 1 мкА

Обратный ток эмиттера при Uб1б2=30 В, Т = 398 К не более 10 мкА

Ток модуляции не менее 10 мА

Добавить комментарий

Войти с помощью: