КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные низкочастотные. Предназначены для работы в УНЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
Г
раничное напряжение при Iэ=10 мА, Ти≤30мкс, скважности > 100 не менее:
- КТ503А, КТ503Б …. 25В
- КТ503В, КТ503Г …. 40В
- КТ503Д ……………… 60В
- КТ503Е ……………… 80В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=10 мА, Iб= 1мА не более 0,6В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=10 мА, Iб= 1мА не более 1,2В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5В, Iэ = 10 мА:
- КТ503А, КТ503В, КТ503Д, КТ503Е … 40-120
- КТ503Б, КТ503Г …………………………… 80-240
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5В, Iэ=3 мА не менее 5 МГц
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5В, f = 465 кГц не более 20 пФ
Обратный ток коллектора при Uкб=Uкб макс не более 1 мкА
Пайку выводов производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса, жало паяльника должно быть заземлено.
Загрузка...