rcl-radio.ru

Предложенная методика расчета трансформаторного источника питания позволяет рассчитать его основные параметры, такие как емкость сглаживающего фильтра, основные параметры диодов и трансформатора. Данная методика расчета позволяет рассчитать источник питания с выходным током до 1 А. Для расчета необходимо задать всего три параметра: Постоянное выходное напряжение источника питания Максимальный ток нагрузки Коэффициент пульсаций (для большинства любительских транзисторных […]

Как правило обычный светодиод белого свечения потребляет ток 20 мА при напряжении 3,3 В, что не позволяет использовать для питания светодиодов аккумулятор  1.2 В NiMH или батарею 1.5 В. Для решения данной проблемы можно использовать светодиодный драйвер показанный на рисунке, который имеет выходное напряжение 23 В и выходной ток 20 мА, с помощью которого можно питать […]

В основе современной промышленной электроники лежит применение полупроводниковых приборов, отчего ее часто называют полупроводниковой электроникой. Рассмотрим электрические свойства полупроводников. Полупроводниками называются вещества, имеющие удельное электрическое сопротивление в пределах 10^-3 — 10^-4 Ом•см и занимающие по электропроводности промежуточное положение между металлами и диэлектриками. Указанное различие в электропроводности веществ обусловлено различием в энергетических спектрах этих материалов, то есть различием […]

ИМС MAX668/ MAX669 — повышающие преобразователи, использующими широтно — импульсную модуляцию (ШИМ), и разработаны для применения в широком спектре преобразователей постоянного напряжения. КПД преобразователя при выходной мощности 20 Вт составляет порядка 90%.  Повышающие преобразователи обладают широким диапазоном входного напряжения от от 1.8 В до 28 В, что дает отличную совместимость с широким спектром батарей и сетевых адаптеров питания […]

AN7523 — маломощный усилитель звуковой частоты. Выходная мощность усилителя 3 Вт на нагрузке 8 Ом при напряжении питания от 8 В. Усилитель имеет функцию Standby и электронную регулировку громкости. Минимальное напряжение питания ИМС AN7523 3 В, максимальное 13,5 В, ток покоя 20 мА, частотный диапазон от 15 до 30000 Гц. КНИ при выходной мощности 0,5 Вт не […]

AN5279 — одноканальный усилитель низкой (звуковой) частоты с функциями STANDBY и MUTE, с максимальной выходной мощностью 7 Вт на нагрузке 8 Ом. Усилитель имеет фиксированный коэффициент усиления 34 Дб, ток покоя не более 25 мА, имеется встроенная тепловая защита и защита от КЗ выхода. Усилитель содержит минимальный набор внешних элементов, после сборки в настройке не […]

На ИМС BA5208AF можно собрать простой маломощный усилитель звуковой частоты, главной особенностью данного усилителя является низкое напряжение питания от 2 до 4 В. Переключатель SA1 выполняет функцию «MUTE» (ступенчатое уменьшение усиления до 0 dB при включении или выключении напряжения питания, для устранения щелчков в звуковом тракте на время переходных процессов установления режимов работы активных элементов схемы). Так […]

Схема включения для астабильного режима работы таймера 555 показана на рис. 1. Основное ее отличие от моностабильного соединения — это то, что пороговый 6 и запускающий 2 выводы соединены вместе так, что как верхний, так и нижний компараторы могут чувствовать напряжение на конденсаторе и что так же включен другой времязадающий резистор Rb, который определяет период разряда […]

Основные режимы работы таймера 555 — это моностабильный (одновибраторный) и астабильный (мультивибраторный). Соединение схемы для работы в моностабильном режиме показано на рис.1. В моностабильном режиме для схемы требуются времязадающий резистор, конденсатор и блокировочный конденсатор, соединенный с выводами управления в качестве внешних компонентов. Когда запускающий импульс поступает на вход запуска (вывод 2) с уровнем меньше 1/3Vcc, таймер […]

В большинстве полупроводниковых приборов используются кристаллы полупроводника с двумя и более участками (слоями) с различным током проводимости (n и p). При получении двухслойной структуры со слоями n и р-типа обычно концентрация примесей в слоях несимметрична: Na>>Nд либо Nд>>Nа. Один из слоев имеет более высокую концентрацию основных носителей и большую электропроводность: например, на рис. 1 показана двухслойная структура, […]