Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Биполярный транзистор — один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — 
электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора.
Условные обозначения параметров биполярных транзисторов:
- Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база
- Uкбои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
- Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
- Uкэои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
- Iкmax — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
- Iкmax и — Максимально допустимый импульсный ток коллектора
- Pкmax — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
- Pкmax т — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
- h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- Iкбо — Обратный ток коллектора
- fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
- Кш — коэффициент шума биполярного транзистора
Загрузка...