Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
1Т813А	p–n–p	100	100	30 (40) А	1.5 (50)	10-60	16 мА	≥5	–
1Т813Б	p–n–p	125	125	30 (40) А	1.5 (50)	10-60	16 мА	≥5	–
1Т813В	p–n–p	150	150	30 (40) А	1.5 (50)	10-60	16 мА	≥5	–
2Т709А2	p–n–p	100	100	10 (20) А	1 (30)	≥500	1 мА	≥5	<2
2Т709Б2	p–n–p	80	80	10 (20) А	1 (30)	≥750	1 мА	≥5	<2
2Т709В2	p–n–p	60	60	10 (20) А	1 (30)	≥750	1 мА	≥5	<2
2Т713А	n–p–n	2500	2500	3 А	50	5-20	1 мА	≥1.5	<1
2Т716АГ	n–p–n	100	100	10 (20) А	1 (30)	≥500	1 мА	≥5	<2
2Т716Б1	n–p–n	80	80	10 (20) А	1 (30)	≥750	1 мА	≥5	<2
2Т716В1	n–p–n	60	60	10 (20) А	1 (30)	≥750	1 мА	≥5	<2
2Т812А	n–p–n	700	700	10 (17) А	50	≥5	5 мА	≥3	<2.5
2Т812Б	n–p–n	500	500	10 (17) А	50	≥5	5 мА	>3	<2.5
2Т818Б	p–n–p	80	80	15 (20) А	3 (100)	20-225	1 мА	≥3	<1
2Т818В	p–n–p	60	60	15 (20) А	3 (100)	20-225	1 мА	≥3	<1
2Т819А	p–n–p	100	100	15 (20) А	3 (100)	20-225	1 мА	≥3	<1
2Т819Б	p–n–p	80	80	15 (20) А	3 (100)	20-225	1 мА	≥3	<1
2Т819В	p–n–p	60	60	15 (20) А	3 (100)	20-225	1 мА	≥3	<1
2Т825А	p–n–p	100	100	20 (40) А	160	500-18000	1 мА	≥4	<2
2Т825Б	p–n–p	80	80	20 (40) А	160	750-18000	1 мА	≥4	<2
2Т825В	p–n–p	60	60	20 (40) А	160	750-18000	1 мА	≥4	<2
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало