Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире
Тип
Структура
U кбо(и)
В
Uкэо(и)
В
I к. макс.(и)
мА
P к.макс.(т)
Вт
h21э
I кбо
мкА
fгр.
МГц
К ш.
дБ
КТ805ВМ
n–p–n
60(135)
60(135)
5(8) A
30
≥15
(25)мА
≥20
<2.5
КТ805ИМ
n–p–n
60(135)
60(135)
5(8) A
30
≥15
(25)мА
≥20
<2.5
КТ807А
n–p–n
100
100
0.5(1.5) A
10
15-45
<5 мА
≥5
<1
КТ807Б
n–p–n
100
100
0.5(1.5) A
10
30-100
5 мА
≥5
<1
КТ808А
n–p–n
120(250)
120(250)
10 A
5 (50)
10-50
3 мА
≥7.2
<2.5
КТ808АМ
n–p–n
120(250)
120(250)
10 A
60
20-125
2 мА
≥8
<2.5
КТ808БМ
n–p–n
100(160)
100(160)
10 A
60
20-125
2 мА
≥8
<2.5
КТ808ВМ
n–p–n
80(135)
80(135)
10 A
60
20-125
2 мА
≥8
<2.5
КТ808ГМ
n–p–n
70(80)
70(80)
10 A
60
20-125
2 мА
≥8
<2.5
КТ809А
n–p–n
400
400
3 (5) A
40
15-100
3 мА
≥5.1
<1.5
КТ8101А
n–p–n
200
160
16 A
150
≥20
2 мА
≥10
<2
КТ8101Б
n–p–n
160
120
16 A
150
≥20
<2 мА
≥10
<2
КТ8102А
p–n–p
200
160
16 A
150
≥20
<2 мА
≥10
<2
КТ8102Б
p–n–p
180
120
16 A
150
≥20
<2 мА
≥10
<2
КТ8104А
n–p–n
350
350
20(25)A
150
≥1000
5 мА
≥10
<2.2
КТ8105А
n–p–n
200
200
20(25)A
150
≥1000
5 мА
≥10
<2.2
КТ8106А
n–p–n
90
80
20(30)A
125
750-10000
5 мА
≥4
<2
КТ8106Б
n–p–n
80
45
20(30)A
125
750-10000
5 мА
≥4
<2
КТ8107А
n–p–n
1500
700
8(15)A
100
≥2.25
1 мА
≥7
<1
КТ8107Б
n–p–n
1500
700
5(7.5)A
125
≥2.25
1 мА
≥7
<1
Страница:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
| Назад
| Начало