Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ3117А	n–p–n	60	60	400 (800)	0.3	40-200	10	≥200	–
КТ3117А1	n–p–n	60	60	400 (800)	0.3	40-200	10	≥200	–
КТ3117Б	n–p–n	75	75	400 (800)	0.3	100-300	10	≥200	–
КТ3120А	n–p–n	15	15	20 (40)	0.1	≥15	0.5	≥1800	2
КТ3123А2	p–n–p	15	15	30 (50)	0.15	≥40	0.01	≥5000	2.4
КТ3123Б2	p–n–p	15	15	30 (50)	0.15	≥40	0.01	≥5000	3
КТ3123В2	p–n–p	10	10	30 (50)	0.15	≥40	0.01	≥5000	2.4
КТ3126А	p–n–p	20	20	20	0.15	25-100	1	≥500	5
КТ3126Б	p–n–p	20	20	20	0.15	60-180	1	≥500	5
КТ3127А	p–n–p	20	20	25	0.1	25-150	1	≥600	5
КТ3128А	p–n–p	40	40	20	0.1	15-150	1	≥800	–
КТ3128А1	p–n–p	40	40	20	0.1	15-150	1	≥800	–
КТ3129А9	p–n–p	50	50	100 (200)	0.075	30-120	1	≥200	–
КТ3129Б9	p–n–p	50	50	100 (200)	0.075	80-250	1	≥200	–
КТ3129В9	p–n–p	30	30	100 (200)	0.075	80-250	1	≥200	–
КТ3129Г9	p–n–p	30	30	100 (200)	0.075	200-500	1	≥200	–
КТ3129Д9	p–n–p	20	20	100 (200)	0.075	200-500	1	≥200	–
КТ312А	n–p–n	20	20	30 (60)	0.225	10-100	10	≥280	–
КТ312Б	n–p–n	35	35	30 (60)	0.225	25-100	10	≥120	–
КТ312В	n–p–n	20	20	30 (60)	0.225	50-280	10	≥120	–
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало