Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ855В	p–n–p	150	150	5 (8) A	40	≥15	1 мА	≥5	<1
КТ857А	n–p–n	250	250	7 (10) A	60	≥7.5	5 мА	≥10	<1
КТ858А	n–p–n	400	400	7 (10) A	60	≥10	1 мА	≥10	<1
КТ859А	n–p–n	800	800	3 (4) A	40	≥10	1 мА	≥10	<1.5
КТ863А	n–p–n	30	30	10 A	50	≥100	1 мА	≥4	<0.3
КТ872А	n–p–n	700(1500)	700(1500)	8(15)A	100	–	1 мА	7	<1
КТ872Б	n–p–n	700(1500)	700(1500)	8(15)A	100	–	1 мА	7	<1
КТ872В	n–p–n	600(1200)	600(1200)	8(15)A	100	≥6	0.6 мА	7	<1
КТ878А	n–p–n	500	500	30 (50) A	150	12-50	3 мА	10	<1.5
КТ878Б	n–p–n	800	800	30 (50) A	150	12-50	3 мА	10	<1.5
КТ878В	n–p–n	800	600	30 (50) A	150	12-50	3 мА	10	<1.5
КТ879А	n–p–n	200	200	50 (75) A	250	≥20	5 мА	10	<1.2
КТ879Б	n–p–n	200	200	50 (75) A	250	215	5 мА	≥10	<2
КТ886А1	n–p–n	1400	700	10 (15) A	75	–	1 мА	≥5	<1
КТ886Б1	n–p–n	1000	500	10 (15) A	75	–	1 мА	≥5	<1
КТ890А	n–p–n	350	350	20 A	120	≥400	0.5 мА	≥5	<2
КТ890Б	n–p–n	350	350	20 A	120	≥400	0.5 мА	5	<2
КТ890В	n–p–n	350	350	20 A	120	≥400	0.5 мА	5	<2
КТ892А	n–p–n	350	350	15 (30) A	100	300-6000	5 мА	≥10	<1.8
КТ892Б	n–p–n	400	400	15 (30) A	100	300-6000	5 мА	10	<1.8
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало