Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ306ВМ	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	20-100	0.5	≥300	–
КТ306ГМ	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	40-200	0.5	≥500	–
КТ306ДМ	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	30-150	0.5	≥200	–
КТ3101А2	n–p–n	15	15	20 (40)	0.1	35-300	0.5	≥4000	4.5
КТ3102А	n–p–n	50	50	100 (200)	0.25	100-200	0.05	≥150	10
КТ3102Б	n–p–n	50	50	100 (200)	0.25	200-500	0.05	≥150	10
КТ3102В	n–p–n	30	30	100 (200)	0.25	200-500	0.015	≥150	10
КТ3102Г	n–p–n	20	20	100 (200)	0.25	400-1000	0.015	≥150	10
КТ3102Д	n–p–n	30	30	100 (200)	0.25	200-500	0.015	≥150	4
КТ3102Е	n–p–n	20	20	100 (200)	0.25	400-1000	0.015	≥150	4
КТ3102Ж	n–p–n	20	20	100 (200)	0.25	100-250	0.05	≥150	–
КТ3102И	n–p–n	20	20	100 (200)	0.25	200-500	0.05	≥150	–
КТ3102К	n–p–n	20	20	100 (200)	0.25	200-500	0.015	≥150	–
КТ3102АМ	n–p–n	50	50	100 (200)	0.25	100-200	0.05	≥150	10
КТ3102БМ	n–p–n	50	50	100 (200)	0.25	200-500	0.05	≥150	10
КТ3102ВМ	n–p–n	30	30	100 (200)	0.25	200-500	0.015	≥150	10
КТ3102ГМ	n–p–n	20	20	100 (200)	0.25	400-1000	0.015	≥150	10
КТ3102ДМ	n–p–n	30	30	100 (200)	0.25	200-500	0.015	≥150	4
КТ3102ЕМ	n–p–n	20	20	100 (200)	0.25	400-1000	0.015	≥150	4
КТ3102ЖМ	n–p–n	20	20	100 (200)	0.25	100-250	0.05	≥150	–
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало