Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ835Б	p–n–p	45	45	7.5 A	25	10-100	150	≥1	<0.35
КТ837А	p–n–p	80	80	7.5 A	30	10-40	150	≥1	<2.5
КТ837Б	p–n–p	80	60	7.5 A	30	20-80	150	≥1	<2.5
КТ837В	p–n–p	80	60	7.5 A	30	50-150	150	≥1	<2.5
КТ837Г	p–n–p	60	45	7.5 A	30	10-40	150	≥1	<0.9
КТ837Д	p–n–p	60	45	7.5 A	30	20-80	150	≥1	<0.9
КТ837Ж	p–n–p	45	30	7.5 A	30	10-40	150	≥1	<0.5
КТ837И	p–n–p	45	30	7.5 A	30	20-80	150	≥1	<0.5
КТ837К	p–n–p	45	30	7.5 A	30	50-150	150	≥1	<0.5
КТ837Л	p–n–p	80	60	7.5 A	30	10-40	150	≥1	<2.5
КТ837М	p–n–p	80	60	7.5 A	30	20-80	150	≥1	<2.5
КТ837Н	p–n–p	80	60	7.5 A	30	50-150	150	≥1	<2.5
КТ837П	p–n–p	60	45	7.5 A	30	10-40	150	≥1	<0.9
КТ837Р	p–n–p	60	45	7.5 A	30	20-80	150	≥1	<0.9
КТ837С	p–n–p	60	45	7.5 A	30	50-150	150	≥1	<0.9
КТ837Т	p–n–p	45	30	7.5 A	30	10-40	150	≥1	<0.5
КТ837У	p–n–p	45	30	7.5 A	30	20-80	150	≥1	<0.5
КТ837Ф	p–n–p	45	30	7.5 A	30	50-150	150	≥1	<0.5
КТ855А	p–n–p	250	250	5 (8) A	40	≥20	1 мА	5	<1
КТ855Б	p–n–p	150	150	5 (8) A	40	≥20	100	5	<1
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало