Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ6127А	p–n–p	90	90	2 А	0.8	≥30	20	≥200	<0.15
КТ6127Б	p–n–p	70	70	2 А	0.8	≥30	20	≥200	0.15
КТ6127В	p–n–p	50	50	2 А	0.8	≥50	20	≥200	<0.3
КТ6127Г	p–n–p	30	30	2 A	0.8	≥50	20	≥200	<0.3
КТ6127Д	p–n–p	20	12	2 A	0.8	≥50	20	≥200	<0.3
КТ6127Е	p–n–p	10	12	2 A	0.8	≥50	20	≥200	<0.3
КТ6127Ж	p–n–p	120	120	2 A	0.8	≥30	20	≥200	<0.2
КТ6127И	p–n–p	160	160	2 A	0.8	≥30	20	≥200	<0.2
КТ6127К	p–n–p	200	200	2 A	0.8	≥30	20	≥200	<0.25
КТ626А	p–n–p	45	45	0.5 (1.5) A	6.5	40-250	10	≥75	<1
КТ626Б	p–n–p	60	60	0.5 (1.5) A	6.5	30-100	50	≥75	<1
КТ626В	p–n–p	80	80	0.5 (1.5) A	6.5	40-120	50	≥45	<1
КТ626Г	p–n–p	20	20	0.5 (1.5) A	6.5	15-60	150	≥45	<1
КТ626Д	p–n–p	20	20	0.5 (1.5) A	6.5	40-250	150	≥45	<1
КТ630А	n–p–n	120	120	1 (2) A	0.8	40-120	1	≥50	<0.3
КТ630Б	n–p–n	120	120	1 (2) A	0.8	80-240	1	≥50	<0.3
КТ630В	n–p–n	150	150	1 (2) A	0.8	40-120	1	≥50	<0.3
КТ630Г	n–p–n	100	100	1 (2) A	0.8	40-120	1	≥50	<0.3
КТ630Д	n–p–n	60	60	1 (2) A	0.8	80-240	1	≥50	<0.3
КТ630Е	n–p–n	60	60	1 (2) A	0.8	160-480	1	≥50	<0.3
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало