Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире
Тип
Структура
U кбо(и)
В
Uкэо(и)
В
I к. макс.(и)
мА
P к.макс.(т)
Вт
h21э
I кбо
мкА
fгр.
МГц
К ш.
дБ
КТ817Г
n–p–n
100
90
3 (6) A
1 (25)
25-275
100
≥3
<0.6
КТ817Г2
n–p–n
100
90
3 (6) A
1 (25)
≥100
100
≥3
<0.12
КТ818А
p–n–p
40
40
10 (15) A
1.5 (60)
15-225
1 мА
≥3
<2
КТ818Б
p–n–p
50
50
10 (15) A
1.5 (60)
20-225
1 мА
≥3
<2
КТ818В
p–n–p
70
70
10 (15) A
1.5 (80)
15-225
1 мА
≥3
<2
КТ818Г
p–n–p
90
90
10 (15) A
1.5 (60)
12-225
1 мА
≥3
<2
КТ818АМ
p–n–p
40
40
15 (20) A
2 (100)
15-225
1 мА
≥3
<2
КТ818БМ
p–n–p
50
50
15 (20) A
2 (100)
20-225
1 мА
≥3
<2
КТ818ВМ
p–n–p
70
70
15 (20) A
2 (100)
15-225
1 мА
≥3
<2
КТ818ГМ
p–n–p
90
90
15 (20) A
2 (100)
12-225
1 мА
≥3
<2
2Т818А
p–n–p
100
100
15 (20) A
3 (100)
20-225
1 мА
≥3
<1
2Т818Б
p–n–p
80
80
15 (20) A
3 (100)
20-225
1 мА
≥3
<1
2Т818В
p–n–p
60
60
15 (20) A
3 (100)
20-225
1 мА
≥3
<1
КТ819А
n–p–n
40
40
10 (15) A
1.5 (60)
15-225
1 мА
≥3
<2
КТ819АМ
n–p–n
40
40
15 (20) A
2 (100)
15-225
1 мА
≥3
<2
КТ819Б
n–p–n
50
50
10 (15) A
1.5 (60)
20-225
1 мА
≥3
<2
КТ819БМ
n–p–n
50
50
15 (20) A
2 (100)
20-225
1 мА
≥3
<2
КТ819В
n–p–n
70
70
10 (15) A
1.5 (60)
12-225
1 мА
≥3
<2
КТ819ВМ
n–p–n
70
70
15 (20) A
2 (100)
12-225
1 мА
≥3
<2
КТ819Г
n–p–n
100
100
10 (15) A
1.5 (60)
12-225
1 мА
≥3
<2
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало