Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ8131В	n–p–n	80	80	4 A	20	500-15000	0.5мА	≥25	<2
КТ8136А	n–p–n	600	400	10(15)A	60	10-50	<2 мА	≥7	<1
КТ8140А	n–p–n	400	200	7(10)A	60	≥10	2 мА	≥7	<1
КТ814В	p–n–p	70	60	1.5 (3) A	1 (10)	40-275	50	≥3	<0.6
КТ814А	p–n–p	40	25	1.5 (3) A	1 (10)	40-275	50	≥3	<0.6
КТ814Б	p–n–p	50	40	1.5 (3) A	1 (10)	40-275	50	≥3	<0.6
КТ814Г	p–n–p	100	80	1.5 (3) A	1 (10)	30-275	50	≥3	<0.6
КТ815А	n–p–n	40	30	1.5 (3) A	1 (10)	40-275	50	≥3	<0.6
КТ815Б	n–p–n	50	45	1.5 (3) A	1 (10)	40-275	50	≥3	<0.6
КТ815В	n–p–n	70	65	1.5 (3) A	1 (10)	40-275	50	≥3	<0.6
КТ815Г	n–p–n	100	85	1.5 (3) A	1 (10)	30-275	50	≥3	<0.6
КТ816А	p–n–p	40	40	3 (6) A	1 (25)	25-275	100	≥3	<1
КТ816А2	p–n–p	40	40	3 (6) A	1 (25)	≥200	100	≥3	<0.6
КТ816Б	p–n–p	45	45	3 (6) A	1 (25)	25-275	100	≥3	<1
КТ816В	p–n–p	80	60	3 (6) A	1 (25)	25-275	100	≥3	<1
КТ816Г	p–n–p	100	90	3 (6) A	1 (25)	25-275	100	≥3	<1
КТ817А	n–p–n	40	40	3 (6) A	1 (25)	25-275	100	≥3	<0.6
КТ817Б	n–p–n	45	45	3 (6) A	1 (25)	25-275	100	≥3	<0.6
КТ817Б2	n–p–n	45	45	3 (6) A	1 (25)	≥100	100	≥3	<0.12
КТ817В	n–p–n	60	60	3 (6) A	1 (25)	25-275	100	≥3	<0.6
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало