Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
ГТ313А	p–n–p	15	15	30	0.1	20-250	5	≥300	–
ГТ313Б	p–n–p	15	15	30	0.1	20-250	5	≥450	–
ГТ313В	p–n–p	15	15	30	0.1	30-170	5	≥350	–
ГТ328А	p–n–p	15	15	10	0.05	20-200	10	≥400	7
ГТ328Б	p–n–p	15	15	10	0.05	40-200	10	≥300	7
ГТ328В	p–n–p	15	15	10	0.05	10-70	10	≥300	7
ГТ346А	p–n–p	20	20	10	0.05	10-150	10	≥700	3
ГТ346Б	p–n–p	20	20	10	0.05	10-150	10	≥550	5.5
ГТ346В	p–n–p	20	20	10	0.05	15-150	10	≥550	6
ГТ806А	p–n–p	75	75	15 А	2 (30)	10-100	15 мА	≥10	–
ГТ806Б	p–n–p	100	100	15 А	2 (30)	10-100	15 мА	≥10	–
ГТ806В	p–n–p	120	120	15 А	2 (30)	10-100	15 мА	≥10	–
ГТ806Г	p–n–p	50	50	15 А	2 (30)	10-100	15 мА	≥10	–
ГТ806Д	p–n–p	140	140	15 А	2 (30)	10-100	15 мА	≥10	–
ГТ905А	p–n–p	75	75	3 (7) А	6	35-100	20 мА	≥60	–
ГТ905Б	p–n–p	60	60	3 (7) А	6	35-100	20 мА	≥60	–
ГТ906А	p–n–p	75	75	6А	15	30-150	8 мА	≥30	–
ГТ906АМ	p–n–p	75	75	6А	15	30-150	8 мА	≥30	–
КТ117А	n–база	30	30	50 (1 А)	0.3	0.5-0.7	1	0.2	–
КТ117Б	n–база	30	30	50 (1 А)	0.3	0.65-0.9	1	0.2	–
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало