Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ892В	n–p–n	300	300	15 (30) A	100	300-6000	5 мА	≥10	<1.8
КТ896А	p–n–p	100	50	20 A	125	750-18000	2 мА	10	<2
КТ896Б	p–n–p	80	40	20 A	125	750-18000	2 мА	10	<2
КТ896В	p–n–p	60	30	20 A	125	750-18000	2 мА	10	<2
КТ897А	n–p–n	350	350	20 (30) A	125	≥400	250	≥10	<1.6
КТ897Б	n–p–n	200	200	20 (30) A	125	≥400	250	10	<1.6
КТ898А	n–p–n	350	350	30 (30) A	125	≥400	5 мА	10	<1.6
КТ898А1	n–p–n	350	350	20 (30) A	60	≥400	5 мА	≥10	<1.6
КТ898Б	n–p–n	200	200	20 (30) A	125	≥400	5 мА	10	<1.8
КТ898Б1	n–p–n	200	200	20 (30) A	60	≥400	5 мА	10	<1.6
КТ899А	n–p–n	160	150	8 (15) A	65	≥1000	0.5 мА	7	<1.6
КТ903А	n–p–n	60 (80)	60 (80)	3 (5) A	30	15-70	10 мА	120	<2.5
КТ903Б	n–p–n	60 (80)	60 (80)	3 (5) A	30	40-180	10 мА	120	<2.5
КТ908А	n–p–n	100	60	10 A	50	8-60	25 мА	≥30	<2.3
КТ908Б	n–p–n	100	60	10 A	50	≥20	50 мА	≥30	<2.3
КТ9115А	p–n–p	300	300	100 (300)	1.2 (10)	25-250	0.05	≥90	<1
КТ919В	n–p–n	70	70	10 (15) A	1.5 (60)	15-225	1 мА	≥3	<2
КТ919ВМ	n–p–n	70	70	15 (20) A	2 (100)	15-225	1 мА	≥3	<2
КТ940А	n–p–n	300	300	100 (300)	1.2 (10)	≥25	0.05	90	<1
КТ940Б	n–p–n	250	250	100 (300)	1.2 (10)	≥25	0.05	90	<1
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало