Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ8121Б	n–p–n	600	300	4 (8) A	75	8-60	1 мА	≥4	<1
КТ8123А	n–p–n	200	150	2 (3) A	25	≥40	1 мА	≥5	<1
КТ8124А	n–p–n	400	200	7 (15) A	60	≥10	1 мА	≥10	<1
КТ8124Б	n–p–n	400	200	7 (15) A	60	≥10	1 мА	≥10	<1
КТ8124В	n–p–n	330	150	7 (15) A	60	≥10	1 мА	≥10	<1
КТ8127А	n–p–n	1500	700	5(7.5)A	100	≥35	0.9мА	2	<1
КТ8127Б	n–p–n	1200	700	5(7.5)A	100	≥6	0.6мА	2	<1
КТ8127В	n–p–n	1500	700	5(7.5 A	100	≥35	0.9мА	2	<1
КТ8127А1	n–p–n	1500	700	5(7.5)A	100	≥35	0.9мА	2	<1
КТ8127Б1	n–p–n	1200	700	5(7.5)A	100	≥6	0.6мА	2	<1
КТ8127В1	n–p–n	1500	700	5(7.5 A	100	≥35	0.9мА	2	<1
КТ8129А	n–p–n	1500	700	5 A	100	≥2.25	4.5мА	≥4	<4.5
КТ812А	n–p–n	700	700	8 (12) A	50	≥4	5 мА	≥3	<2.5
КТ812Б	n–p–n	500	500	8 (12) A	50	≥4	5 мА	≥3	<2.5
КТ812В	n–p–n	300	300	8 (12) A	50	≥10	5 мА	≥3	<2.5
КТ8130А	p–n–p	40	40	4 A	20	500-15000	0.5мА	≥25	<2
КТ8130Б	p–n–p	60	60	4 A	20	500-15000	0.5мА	≥25	<2
КТ8130В	p–n–p	80	80	4 A	20	500-15000	0.5мА	≥25	<2
КТ8131А	n–p–n	40	40	4 A	20	500-15000	0.5мА	≥25	<2
КТ8131Б	n–p–n	60	60	4 A	20	500-15000	0.5мА	≥25	<2
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало