Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире
Тип
Структура
U кбо(и)
В
Uкэо(и)
В
I к. макс.(и)
мА
P к.макс.(т)
Вт
h21э
I кбо
мкА
fгр.
МГц
К ш.
дБ
КТ209Б
p–n–p
15
15
300 (500)
0.2
40-120
1
≥5
–
КТ209Б1
p–n–p
15
15
300 (500)
0.2
≥12
1
≥5
–
КТ209В
p–n–p
15
15
300 (500)
0.2
80-240
1
≥5
5
КТ209В1
p–n–p
15
15
300 (500)
0.2
≥30
1
≥5
5
КТ209В2
p–n–p
15
15
300 (500)
0.2
≥200
1
≥5
5
КТ209Г
p–n–p
30
30
300 (500)
0.2
20-60
1
≥5
–
КТ209Д
p–n–p
30
30
300 (500)
0.2
40-120
1
≥5
–
КТ209Е
p–n–p
30
30
300 (500)
0.2
80-240
1
≥5
5
КТ209Ж
p–n–p
45
45
300 (500)
0.2
20-60
1
≥5
–
КТ209И
p–n–p
45
45
300 (500)
0.2
40-120
1
≥5
–
КТ209К
p–n–p
45
45
300 (500)
0.2
80-160
1
≥5
5
КТ209Л
p–n–p
60
60
300 (500)
0.2
20-60
1
≥5
–
КТ209М
p–n–p
60
60
300 (500)
0.2
40-120
1
≥5
–
КТ306А
n–p–n
15
10
30 (50)
0.15
20-60
0.5
≥300
–
КТ306Б
n–p–n
15
10
30 (50)
0.15
40-120
0.5
≥500
–
КТ306В
n–p–n
15
10
30 (50)
0.15
20-100
0.5
≥300
–
КТ306Г
n–p–n
15
10
30 (50)
0.15
40-200
0.5
≥500
–
КТ306Д
n–p–n
15
10
30 (50)
0.15
30-150
0.5
≥200
–
КТ306АМ
n–p–n
15
10
30 (50)
0.15
20-60
0.5
≥300
–
КТ306БМ
n–p–n
15
10
30 (50)
0.15
40-120
0.5
≥500
–
Страница:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
| Назад
| Начало