Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ209Б	p–n–p	15	15	300 (500)	0.2	40-120	1	≥5	–
КТ209Б1	p–n–p	15	15	300 (500)	0.2	≥12	1	≥5	–
КТ209В	p–n–p	15	15	300 (500)	0.2	80-240	1	≥5	5
КТ209В1	p–n–p	15	15	300 (500)	0.2	≥30	1	≥5	5
КТ209В2	p–n–p	15	15	300 (500)	0.2	≥200	1	≥5	5
КТ209Г	p–n–p	30	30	300 (500)	0.2	20-60	1	≥5	–
КТ209Д	p–n–p	30	30	300 (500)	0.2	40-120	1	≥5	–
КТ209Е	p–n–p	30	30	300 (500)	0.2	80-240	1	≥5	5
КТ209Ж	p–n–p	45	45	300 (500)	0.2	20-60	1	≥5	–
КТ209И	p–n–p	45	45	300 (500)	0.2	40-120	1	≥5	–
КТ209К	p–n–p	45	45	300 (500)	0.2	80-160	1	≥5	5
КТ209Л	p–n–p	60	60	300 (500)	0.2	20-60	1	≥5	–
КТ209М	p–n–p	60	60	300 (500)	0.2	40-120	1	≥5	–
КТ306А	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	20-60	0.5	≥300	–
КТ306Б	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	40-120	0.5	≥500	–
КТ306В	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	20-100	0.5	≥300	–
КТ306Г	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	40-200	0.5	≥500	–
КТ306Д	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	30-150	0.5	≥200	–
КТ306АМ	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	20-60	0.5	≥300	–
КТ306БМ	n–p–n	15	10	30 (50)	0.15	40-120	0.5	≥500	–
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало