Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ503А	n–p–n	40	25	150 (350)	0.35	40-120	1	≥350	–
КТ503Б	n–p–n	40	25	150 (350)	0.35	80-240	1	≥350	–
КТ503В	n–p–n	60	40	150 (350)	0.35	40-120	1	≥350	–
КТ503Г	n–p–n	60	40	150 (350)	0.35	80-240	1	≥350	–
КТ503Д	n–p–n	80	60	150 (350)	0.35	40-120	1	≥350	–
КТ503Е	n–p–n	100	60	150 (350)	0.35	40-120	1	≥350	–
КТ504А	n–p–n	400	350	1 (2) А	1 (10)	15-100	100	≥20	–
КТ504Б	n–p–n	250	200	1 (2) А	1 (10)	15-100	100	≥20	–
КТ504В	n–p–n	300	275	1 (2) А	1 (10)	15-100	100	≥20	–
КТ505А	p–n–p	300	300	1 (2) А	1 (10)	25-140	100	≥20	–
КТ505Б	p–n–p	250	250	1 (2) А	1 (10)	25-140	100	≥20	–
КТ506А	n–p–n	800	600	2 (5) А	0.8 (10)	30-150	1 мА	≥10	–
КТ506Б	n–p–n	600	600	2 (5) А	0.8 (10)	30-150	1 мА	≥10	–
КТ601А	n–p–n	100	100	30	0.25 (0.5)	16	50	≥40	–
КТ601АМ	n–p–n	100	100	30	0.25 (0.5)	16	50	≥40	–
КТ602А	n–p–n	120	100	75 (500)	0.85 (2.8)	20-80	70	≥150	–
КТ602Б	n–p–n	120	100	75 (500)	0.85 (2.8)	50-200	70	≥150	–
КТ602АМ	n–p–n	120	100	75 (500)	0.85 (2.8)	20-80	70	≥150	–
КТ602БМ	n–p–n	120	100	75 (500)	0.85 (2.8)	50-200	70	≥150	–
КТ602В	n–p–n	80	80	75 (300)	0.85 (2.8)	15-80	70	≥150	–
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало