Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире
Тип
Структура
U кбо(и)
В
Uкэо(и)
В
I к. макс.(и)
мА
P к.макс.(т)
Вт
h21э
I кбо
мкА
fгр.
МГц
К ш.
дБ
КТ8107В
n–p–n
1500
600
5(8)A
50
8-12
1 мА
≥7
<5
КТ8108А
n–p–n
850
500
5(7)A
70
10-50
2 мА
≥5
<1
КТ8108Б
n–p–n
850
500
5(7)A
70
40-80
2 мА
≥5
<1
КТ8109А
n–p–n
350
350
7(10)A
80
≥150
1 мА
≥7
<1.5
КТ8109Б
n–p–n
300
300
7(10)A
80
≥150
1 мА
≥7
<1.5
КТ8110В
n–p–n
500
450
7(14)A
60
≥15
2 мА
20
<0.8
КТ8110А
n–p–n
500
450
7(14)A
60
15-30
2 мА
20
<0.8
КТ8110Б
n–p–n
500
450
7(14)A
60
≥15
2 мА
20
<0.8
КТ8111А
n–p–n
100
50
20A
125
750-18000
2 мА
10
<2
КТ8111Б
n–p–n
80
40
20A
125
750-18000
2 мА
10
<2
КТ8111В
n–p–n
60
30
20A
125
750-18000
2 мА
10
<2
КТ8114А
n–p–n
700
700
8(15)A
125
100
≥7
<1
КТ8114Б
n–p–n
(1500)700
(1500)700
8 (15) A
125
100
≥7
<5
КТ8116А
n–p–n
100
100
8 (16) A
65
≥1000
10
≥7
<2
КТ8116Б
n–p–n
80
80
8 (16) A
65
≥1000
10
≥7
<2
КТ8117А
n–p–n
500
400
10 (15) A
100
>10
1 мА
≥4
<1.5
КТ8118А
n–p–n
900
800
3 (10) A
50
10-40
1 мА
≥15
<2
КТ8118Б
n–p–n
60
60
8 (16) A
65
≥1000
10
≥7
<2
КТ8120А
n–p–n
600
450
8 (16) A
60
≥10
1 мА
≥20
<1
КТ8121А
n–p–n
700
400
4 (8) A
75
8-60
1 мА
≥4
<1
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало