Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире

Тип	Структура	U кбо(и) В	Uкэо(и) В	I к. макс.(и) мА	P к.макс.(т) Вт	h21э	I кбо мкА	fгр. МГц	К ш. дБ
КТ819ГМ	n–p–n	100	100	15 (20) A	2 (100)	12-225	1 мА	≥3	<2
КТ825Г	p–n–p	90	90	20 (30) A	125	750-18000	1 мА	≥4	<2
КТ825Д	p–n–p	60	60	20 (30) A	125	750-18000	1 мА	≥4	<2
КТ825Е	p–n–p	30	30	20 (30) A	125	750-18000	1 мА	≥4	<2
КТ826А	n–p–n	700	700	1 (1) A	15	10-120	2 мА	≥6	<2.5
КТ826Б	n–p–n	700	700	1 (1) A	15	5-300	2 мА	≥6	<2.5
КТ826В	n–p–n	700	700	1 (1) A	15	5-120	2 мА	≥6	<2.5
КТ827А	n–p–n	100	100	20 (40) A	125	500-18000	3 мА	≥4	<2
КТ827Б	n–p–n	80	80	20 (40) A	125	750-18000	3 мА	≥4	<2
КТ827В	n–p–n	60	60	20 (40) A	125	750-18000	3 мА	≥4	<2
КТ828А	n–p–n	800	800	5 (7.5) A	50	≥2.25	5 мА	≥4	<3
КТ828Б	n–p–n	600	600	5 (7.5) A	50	≥2.25	5 мА	≥4	<3
КТ829А	n–p–n	100	100	8 (12) A	60	≥750	0.2 мА	≥4	<2
КТ829Б	n–p–n	80	80	8 (12) A	60	≥750	0.2 мА	≥4	<2
КТ829В	n–p–n	60	60	8 (12) A	60	≥750	0.2 мА	≥4	<2
КТ829Г	n–p–n	45	45	8 (12) A	60	≥750	0.2 мА	≥4	<2
КТ834А	n–p–n	500	500	15 (20) A	100	≥150	3 мА	≥4	<2
КТ834Б	n–p–n	450	450	15 (20) A	100	≥150	3 мА	≥4	<2
КТ834В	n–p–n	400	400	15 (20) A	100	≥150	3 мА	≥4	<2
КТ835А	p–n–p	30	30	3 А	25	≥25	100	≥1	<0.35
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало