Введите в поле поиска название транзистора без пробелов и тире
Тип
Структура
U кбо(и)
В
Uкэо(и)
В
I к. макс.(и)
мА
P к.макс.(т)
Вт
h21э
I кбо
мкА
fгр.
МГц
К ш.
дБ
КТ391В2
n–p–n
10
10
10
0.07
≥20
0.6
≥4000
6
КТ399А
n–p–n
15
15
20 (40)
0.15
≥40
0.5
≥21800
2
КТ399АМ
n–p–n
15
15
30 (60)
0.15
≥40
0.5
≥21800
2
КТ501А
p–n–p
15
15
300 (500)
0.35
20-60
1
≥5
КТ501Б
p–n–p
15
15
300 (500)
0.35
40-120
1
≥5
КТ501В
p–n–p
15
15
300 (500)
0.35
80-240
1
>5
4
КТ501Г
p–n–p
30
30
300 (500)
0.35
20-60
1
≥5
КТ501Д
p–n–p
30
30
300 (500)
0.35
40-120
1
≥5
КТ501Е
p–n–p
30
30
300 (500)
0.35
80-240
1
≥5
4
КТ501Ж
p–n–p
45
45
300 (500)
0.35
20-60
1
≥5
КТ501И
p–n–p
45
45
300 (500)
0.35
40-120
1
≥5
КТ501К
p–n–p
45
45
300 (500)
0.35
80-240
1
≥5
4
КТ501Л
p–n–p
60
60
300 (500)
0.35
20-60
1
≥5
КТ501М
p–n–p
60
60
300 (500)
0.35
40-120
1
>5
КТ502А
p–n–p
40
25
150 (350)
0.35
40-120
1
≥350
КТ502Б
p–n–p
40
25
150 (350)
0.35
80-240
1
≥350
КТ502В
p–n–p
60
40
150 (350)
0.35
40-120
1
≥350
КТ502Г
p–n–p
60
40
150 (350)
0.35
80-240
1
≥350
КТ502Д
p–n–p
80
60
150 (350)
0.35
40-120
1
≥350
КТ502Е
p–n–p
90
60
150 (350)
0.35
40-120
1
≥350
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 | Назад | Начало