| Ваш IP: 54.224.5.186 | Online(16) - гости: 10, боты: 6 | Загрузка сервера: 1.5 ::::::::::::

Высококачественный УНЧ (60Вт 4Ом)

Основные технические хар-ки:

  • Номинальная выходная мощность при сопротивлении нагрузки:
  • 8Ом — 48Вт
  • 4Ом — 60Вт
  • Диапазон воспроизводимых частот при неравномерности АЧХ не более 0,5дБ и выходной мощности 2 Вт — 10…200000 Гц
  • Коэффициент нелинейных искажений при номинальной мощности в диапазоне 20…20000 Гц — 0,05%
  • Номинальное входное напряжение — 0,8В
  • Выходное сопротивление — 0,02 Ом


Выходной каскад усилителя предоставляет собой два дифференциальных усилителя выполненных на транзисторах VT1 VT3 и VT2 VT4. Генераторы тока на транзисторах VT5 VT6 обеспечивают стабильность значений около 1 мА суммарных эмиттерных токов дифференциальных пар, а так же развязку по цепи питания.
Сигнал на выходной усилитель подается с управляемых генераторов тока VT7 VT8, которые работают противофазно. Такое включение увеличило ток раскачки в 2 раза, снизило нелинейные искажения и улучшило частотные свойства усилителя в целом.
Каждое из плеч симметричного выходного усилителя выполнено по схеме Дарлингтона, и представляет собой трех каскадный усилитель. Усилитель охвачен частотно — зависимой ООС, определяющий коэффициент передачи по напряжению, который в звуковом диапазоне близок к трем.
Так как сигнал обратной связи снимается с R39 то дополнительно осуществляется довольно жесткая стабилизация рабочей точки этого транзистора. Напряжение смещения термостабилизировано диодом VD4, который закреплен на теплоотводе одного из мощных транзисторов.

Элементы коррекции R16 C4 C6-C11 обеспечивает устойчивость усилителя и выравнивает АЧХ. Пассивный фильтр НЧ R2C1 предотвращает попадание на вход радиочастотных сигналов. Цепочка С12R45L1R47 компенсирует реактивную составляющую сопротивления нагрузки. На VT12VT13 собран узел защиты выходных транзисторов от перегрузок по току и напряжению. R1 позволяет при необходимости ограничить выходную мощность в соответствии с уровнем сигнала от предварительно усилителя и возможностями применяемого громкоговорителя.

В усилителе можно использовать и другие маломощные высокочастотные кремниевые транзисторы, например КТ342А КТ342Б и КТ313Б КТ315 и КТ361 с индексами от В до Е. Транзисторы VT14 VT15 (можно заменить на КТ816В КТ816Г КТ817В КТ817Г) снабжены ребристыми теплоотводами размерами 23*25*2 мм. В место оконечных транзисторов можно использовать КТ818ГМ и КТ819ГМ(при Pвых более 70Вт). Стабилитрон VD1 может быть — Д816Г 2С536А, VD2VD3 — КС147А при коррекции R11 и R14.


Литература — 500 схем для радиолюбителя — Авторы: Николаев А.П и Малкина М.В.
Обсудить на форуме | Форум > Звукотехника

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Простой расчет площади теплоотвода для мощных транзисторов и тиристоров

    Есть такой параметр, как тепловое сопротивление. Он показывает, на сколько градусов нагревается объект, если в нем выделяется мощность 1 Вт. К сожалению, в справочниках по транзисторам такой параметр приводится редко. Например, для транзистора в корпусе ТО-5 тепловое сопротивление равно 220°С на 1 Вт. Это означает, что если в транзисторе выделяется …Подробнее...
  • Простой БП 15В 1,5А

    В состав БП входит специализированная микросхема стабилизатора напряжения. Схема БП показана на рис. 1. Схема очень проста, поэтому в описании не нуждается. Детали и конструкция: Большинство деталей размещены на печатной плате изображенной на рис.2. Т2 должен обеспечивать на II обмотке переменное напряжение не менее 15В  при токе 1,5А. Микросхему необходимо …Подробнее...
  • УМЗЧ на TDA2007A

    УМЗЧ на TDA2007A

    TDA2007A — усилитель класса А, микросхема в основном используется как усилитель мощности в бытовой технике. Микросхема имеет защиту от КЗ на корпус входа и выхода, тепловую защиту. В стерео варианте усилитель имеет следующие основные характеристики: Напряжение питания от 8 до 26В, номинальное напряжение 18В. Ток покоя 50мА при выходном напряжении …Подробнее...
  • Полевой транзистор

    В полевом транзисторе управление рабочим током осуществляется не током во входной цепи, как в биполярном транзисторе, а воздействием на носители тока электрического поля. От суда и название транзистора «полевой» . Основой полевого транзистора с p-n переходом служит пластина кремния с электропроводностью типа р. Пластину прибора называют затвором. А область типа …Подробнее...
  • Простые датчики освещения

    Простые датчики освещения

    Эти простые схемы представляют собой датчики освещения, в качестве чувствительного элемента используется фоторезистор. Первая схема — датчик затемнения, вторая — освещения. Когда свет попадает на фоторезистор, он меняет сопротивление, чем больше света тем меньше сопротивление и больше падение напряжения на нем. При увеличении падения напряжения транзистор открывается, срабатывает реле. Порог …Подробнее...