| Ваш IP: 54.234.228.78 | Online(31) - гости: 19, боты: 12 | Загрузка сервера: 1.4 ::::::::::::

1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д

1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д — германиевые диффузионно-сплавные транзисторы, p-n-p, переключательные, маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения.

кт608

Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее: 300 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц не более: 700 пс

Время рассасывания при Iк нас = 10 мА, Iб = 0,5 мА не более:

  • 1Т335А … 100 нс
  • 1Т335В, 1Т335Д … 150 нс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iэ = 50 мА, Т = 298 К:

  • 1Т335А, 1Т335В …. 40-70
  • 1Т335Б, 1Т335Г …  60-100
  • 1Т335Д …. 50-100

Граничное напряжение при Iэ = 10 мА не менее:

  • 1Т335А, 1Т335Б … 13 В
  • 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д … 10 В

Типовое значение:

  • 1Т335А, 1Т335Б … 14,5 В
  • 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д … 12,5 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 250 мА, Iб = 25 мА не более:

  • 1Т335А, 1Т335Б … 2 В
  • 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д … 1,5 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,45 В

Обратный ток коллектора  не более:

  • при Т = 298 К, Uкб = 20 В … 10 мкА
  • при Т = 343 К, Uкб = 15 В … 100 мкА

Обратный ток эмиттера не более:

  • 1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г:

при Uэб = 2,5 В … 5 мА

при Uэб = 3 В … 10 мА

  • 1Т335Д:

при Uэб = 2 В … 5 мА

при Uэб = 3 В … 10 мА

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более:

  • 1Т335А, 1Т335Б … 8,5 пФ
  • 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д … 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1 В не более 35 пФ

Постоянная рассеиваемая мощность:

  • при Т = 213…318 К …. 200 мВт
  • при Т = 343 К …. 67 мВт

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Классификация припоев

    Припои принято делить на две группы — мягкие и твёрдые. К мягким относятся припои с температурой плавления до 300°С, к твёрдым — выше 300°С. Кроме того, припои существенно различаются по механической прочности. Мягкие припои имеют предел прочности при растяжении 16—100 МПа, а твёрдые — 100—500МПа. Мягкими припоями являются оловянно-свинцовые сплавы …Подробнее...
  • Усилитель мощности на TA8200AH

    Усилитель мощности на TA8200AH

    Микросхему TA8200AH используют в качестве усилителе мощности в ТВ и стерео комплексах. Микросхема имеет встроенную функцию MUTE и тепловую защиту. Усилитель на базе TA8200AH имеет следующие технические характеристики: Напряжение питания от +10 до +37В (номинальное напряжение +28В) Ток покоя от 50 до 105мА в зависимости от напряжения питания Пиковых выходной …Подробнее...
  • Искатель скрытой проводки (индикатор переменного электрического поля) на ИМС

    Искатель скрытой проводки (индикатор переменного электрического поля) на ИМС

    В качестве управляемого генератора импульсов применен генератор на микросхеме К122ТЛ1. Нагрузкой генератора для индикации являются высокоомные головные телефоны типа ТОН-1 (ТОН-2) с сопротивлением 1600 Ом. При наличии внешнего переменного электрического поля сигнал, наводимый на антенну, поступает на затвор VT1, что вызывает модуляцию сопротивления его канала. В итоге падение напряжения на …Подробнее...
  • Игра «Электронный кубик»

    Игра «Электронный кубик»

    Рассмотрим схему «электронного кубика», который эту возможность реализует. Индикацию выпавших очков осуществляют светодиоды HL1-HL7, расположенные на передней панели автомата аналогично расположению точек на грани кубика. Устройство содержит автогенератор на элементах DD1.1-DD1.3, счетчик на 6 (DD2) и дешифратор, реализованный на элементах DD1.4, DD1.5, DD3.1-DD3.2, DD4.1-DD4.3. После подачи напряжения питания микросхем импульсы …Подробнее...
  • Пяти полосной регулятор тембра на транзисторах

    Пяти полосной регулятор тембра на транзисторах

    Регулирование тембра происходит путем изменения уровня сигнала на выходах пяти полосовых фильтров, на-строенных на частоты 160 Гц, 340 Гц, 1,5 кГц, 4 кГц и 5,7 кГц. Входной сигнал усиливается первой ступенью на транзисторе Т1 и далее через полосовые фильтры поступает на вход второй ступени на полевом транзисторе Т2 по схеме …Подробнее...