1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д — германиевые диффузионно-сплавные транзисторы, p-n-p, переключательные, маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения.
Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее: 300 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц не более: 700 пс
Время рассасывания при Iк нас = 10 мА, Iб = 0,5 мА не более:
- 1Т335А … 100 нс
- 1Т335В, 1Т335Д … 150 нс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iэ = 50 мА, Т = 298 К:
- 1Т335А, 1Т335В …. 40-70
- 1Т335Б, 1Т335Г … 60-100
- 1Т335Д …. 50-100
Граничное напряжение при Iэ = 10 мА не менее:
- 1Т335А, 1Т335Б … 13 В
- 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д … 10 В
Типовое значение:
- 1Т335А, 1Т335Б … 14,5 В
- 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д … 12,5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 250 мА, Iб = 25 мА не более:
- 1Т335А, 1Т335Б … 2 В
- 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д … 1,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,45 В
Обратный ток коллектора не более:
- при Т = 298 К, Uкб = 20 В … 10 мкА
- при Т = 343 К, Uкб = 15 В … 100 мкА
Обратный ток эмиттера не более:
- 1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г:
при Uэб = 2,5 В … 5 мА
при Uэб = 3 В … 10 мА
- 1Т335Д:
при Uэб = 2 В … 5 мА
при Uэб = 3 В … 10 мА
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более:
- 1Т335А, 1Т335Б … 8,5 пФ
- 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д … 10 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1 В не более 35 пФ
Постоянная рассеиваемая мощность:
- при Т = 213…318 К …. 200 мВт
- при Т = 343 К …. 67 мВт
Загрузка...