Тестер для транзисторов

Измерения Радиошкола

На рисунке показана схема простого тестера для транзисторов, который может определить годность биполярных транзисторов различной структуры (p-n-p, n-p-n).

Схема тестера для биполярных транзисторов

На элементах DD1.1, DD1.2 и DD1.3 выполнен генератор, работающий на частоте 1 кГц. Проверка транзисторов различной структуры без переключения возможна благодаря подаче на эмиттер и коллектор испытуемого  транзистора то низкого, то высокого потенциала, что эквивалентно смене полярности питающего напряжения. Приложенное напряжение обратной полярности между эмиттером и коллектором транзистора не превышает 2,4-3,6 В и не может вывести переходы транзистора из строя.

Импульсы с генератора с частотой в 5 кГц собранного на DD2 поступают на базу испытуемого транзистора. В зависимости от структуры транзистора зажигается либо светодиод HL1, либо HL2.

Источник — Партин А.И. Популярно о цифровых микросхемах (1989)

Обновлено: 19.01.2022 в 22:48 | Просмотров: 4 881
2,80 (5)
Загрузка...
Похожие статьи
Испытатель транзисторов на микросхемах
Схема простого испытателя маломощных биполярных транзисторов показана на рисунке. Основа испытателя 2-а генератора, первый на низкую частоту, другой на частоту 5кГц. Инверторы DD1.4 DD2.4 позволяют согласовать выходные сопротивления генераторов с сопротивлениями цепей нагрузок, а так же получить нужные полярности напряжения питания проверяемых транзисторов обеих структур. Соответственно при проверке транзистора будет загорать светодиод индицируя соответствующую структура...

Искатель скрытой проводки на транзисторах разной структуры
Искатель с меньшим количеством деталей может быть собран с использованием биполярных транзисторов разной структуры. Полевой транзистор (VT2), как и в предыдущей схеме, управляет работой генератора при попадании антенного щупа WA1 в электрическое поле сетевого провода. Детали. C1 - 5…10 мкФ; VT1 - KT209 или КТ361 с любыми буквенными индексами; VT2 - KП103 с любым буквенным индексом; VT3 - КТ315, КТ503, КТ3102 с любыми буквенными индексами; R1 - 51 кОм…1,2 МОм; R2 - 150…560 Ом. Антенна из...

УСИЛИТЕЛЬ НЧ НА ЧЕТЫРЕХ ТРАНЗИСТОРАХ
На рис. а) изображена схема усилителя НЧ на четырех транзисторах. Оконечные транзисторы V5 и V6 в нем - германиевые средней мощности, что позволяет получить при сопротивлении нагрузки 8 Ом и напряжении питания 9 В номинальную мощность до 0,7 Вт. При повышении напряжения питания до 12 В выходная мощность достигает 1,5 Вт. Чувствительность усилителя около 3 мВ. Транзисторы VI и V2 составляют предварительный усилитель. Оба транзистора -  кремниевые. Такое сочетание кремниевых и германиевых...

ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ И УСТРОЙСТВО ТРАНЗИСТОРОВ
Транзистором называется полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления и генерирования электрических колебаний. Он представляет собой кристалл, помещенный в корпус, снабженный выводами. Кристалл изготовляют из полупроводникового материала. По своим электрическим свойствам полупроводники занимают некоторое промежуточное положение между проводниками и непроводниками тока (изоляторами). Небольшой кристалл полупроводникового материала (полупроводника) после соответствующей технологической...

Приставка-пробник для проверки биполярных транзисторов
Используя схему показанную на рисунке, можно собрать приставку-пробник, при помощи которой можно проверять биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности. При проверке транзисторов к схеме подключают миллиамперметр (1мА), он может быть встроен в схему или быть внешним. При проверке транзисторов средней и большой мощности отключают миллиамперметр, и уст-во становится пробником со световой индикацией. Для проверки основных параметров транзисторов малой мощности...

Добавить комментарий

Войти с помощью: