1Т387А-2, 1Т387Б-2 — транзисторы германиевые планарные n-p-n СВЧ генераторные.
Предназначены для усиления и генерирования СВЧ сигналов.
Маркировка — наносится условная маркировка цветными точками:
- 1Т387А-2 — черная
- 1Т387Б-2 — белая
Выходная мощность в режиме автогенератора при Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не менее:
- 1Т387А-2 при f = 3 ГГц …. 50 мВт
- 1Т387Б-2 при f = 4 ГГц …. 50 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iэ = 50 мА не менее:
- 1Т387А-2 …. 2,16 ГГц
- 1Т387Б-2 …. 3 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 30 мА, f = 30 МГц не более:
- Т387А-2 …. 6,5 пс
- 1Т387Б-2 …. 4 пс
Коэффициент усиления по мощности при Uкб = 7 В не менее:
- 1Т387А-2 в схеме с общей базой при f = 2,25ГГц Nк = 30% …. 2
- 1Т387Б-2 в схеме с общим эмиттером при f = 0,5 ГГц, Iэ = 20 мА …. 10
Минимальный коэффициент шума при Uкб = 7 В:
1Т387А-2 в схеме с общим эмиттером при Iэ = 5-30 мА
- при f = 0,1 ГГц …. 2,5 дБ
- при f = 1 ГГц …. 5 дБ
1Т387Б-2 при Iэ = 10-20 мА
- при f = 0,5 ГГц в схеме с общим эмиттером …. 3 дБ
- при f = 1 ГГц в схеме с общей базой …. 4,8 дБ
- при f = 12,5 ГГц в схеме с общей базой …. 7,5 дБ
Граничное напряжение при Iэ = 50 мА не менее …. 8 В
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В не более:
- при Т = 213 и Т = 298 К К …. 10 мкА
- при Т = 343 К …. 100 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб = 0,2 В не более :
- при Т = 213 и Т = 298 К К …. 10 мкА
- при Т = 343 К …. 100 мкА
Сопротивление базы при Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не более …. 9 Ом
Сопротивление коллектор — база при Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не более …. 4,5 Ом
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более …. 3 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0 В не более …. 4,5 пФ
Индуктивность база в режиме насыщения при Uкб = 0 В, Iк = 50 мА, f = 1 Ггц не более …. 0,45 нГн
Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 3,2 В,
при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:
- модуль …. 1,78
- фаза …. -140º
при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:
- модуль …. 1,55
- фаза …. -150º
при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:
- модуль …. 1,92
- фаза …. -165º
при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:
- модуль …. 1,78
- фаза …. -175º
Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В:
при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:
- модуль …. -14,5 дБ
- фаза …. 61º
при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:
- модуль …. -14,2 дБ
- фаза …. 70º
при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:
- модуль …. -10,5 дБ
- фаза …. 60º
при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:
- модуль …. -10 дБ
- фаза …. 61º
Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В:
при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:
- модуль …. 8 дБ
- фаза ….81º
при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:
- модуль …. 9,5 дБ
- фаза …. 75º
при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:
- модуль …. 4 дБ
- фаза …. 60º
при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:
- модуль …. 4,5 дБ
- фаза …. 59º
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим эмиттером приUкэ = 5 В:
при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:
- модуль …. 1,79
- фаза …. -55º
при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:
- модуль …. 1,45
- фаза …. -40º
при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:
- модуль …. 1,67
- фаза …. -57º
при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:
- модуль …. 1,38
- фаза …. -61º
Предельные эксплуатационные данные:
- Постоянное напряжение коллектор-база …. 10 В
- Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rэб≤ 100 Ом …. 8 В
- Постоянное напряжение эмиттер-база …. 0,2 В
- Импульсный ток коллектора при Т = 298 К Ти≤10 мкс, Q ≥100 …. 140 мА
- Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 213-303 К …. 175 мВт
- Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 343 К …. 85 мВт
- Рассеивающая мощность коллектора в режиме усиления мощности при Тк = 213-303 К … 300 мВт
- Рассеивающая мощность коллектора в режиме усиления мощности при Тк = 343 К … 120 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...