| Ваш IP: 54.163.22.209 | Online(31) - гости: 23, боты: 7 | Загрузка сервера: 2.23 ::::::::::::

1Т387А-2, 1Т387Б-2

1Т387А-2, 1Т387Б-2 — транзисторы германиевые планарные n-p-n  СВЧ генераторные.

Предназначены для усиления и генерирования СВЧ сигналов.

Маркировка — наносится условная маркировка цветными точками:

  •  1Т387А-2 — черная
  • 1Т387Б-2 — белая

Выходная мощность в режиме автогенератора при  Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не менее:

  • 1Т387А-2 при f = 3 ГГц …. 50 мВт
  • 1Т387Б-2 при f = 4 ГГц …. 50 мВт

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iэ = 50 мА не менее:

  • 1Т387А-2 …. 2,16 ГГц
  • 1Т387Б-2 …. 3 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 30 мА, f = 30 МГц не более:

  • Т387А-2 …. 6,5 пс
  • 1Т387Б-2 …. 4 пс

Коэффициент усиления по мощности при Uкб = 7 В не менее:

  • 1Т387А-2 в схеме с общей базой при f = 2,25ГГц Nк = 30% …. 2
  • 1Т387Б-2 в схеме с общим эмиттером при f = 0,5 ГГц, Iэ = 20 мА …. 10

Минимальный коэффициент шума при Uкб = 7 В:

1Т387А-2 в схеме с общим эмиттером при Iэ = 5-30 мА

  • при f = 0,1 ГГц …. 2,5 дБ
  • при f = 1 ГГц …. 5 дБ

1Т387Б-2  при Iэ = 10-20 мА

  • при f = 0,5 ГГц в схеме с общим эмиттером …. 3 дБ
  • при f = 1 ГГц в схеме с общей базой …. 4,8 дБ
  • при f = 12,5 ГГц в схеме с общей базой …. 7,5 дБ

Граничное напряжение при Iэ = 50 мА не менее …. 8 В

Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В не более:

  • при Т = 213 и Т = 298 К К …. 10 мкА
  • при Т = 343 К …. 100 мкА

Обратный ток эмиттера при  Uэб = 0,2 В не более :

  • при Т = 213 и Т = 298 К К …. 10 мкА
  • при Т = 343 К …. 100 мкА

Сопротивление базы при Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не более …. 9 Ом

Сопротивление коллектор — база при Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не более …. 4,5 Ом

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более …. 3 пФ

Емкость эмиттерного  перехода при Uэб = 0 В не более …. 4,5 пФ

Индуктивность база в режиме насыщения при Uкб = 0 В, Iк = 50 мА, f  = 1 Ггц не более …. 0,45 нГн

Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 3,2 В,

при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 1,78
  • фаза …. -140º

при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 1,55
  • фаза …. -150º

при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 1,92
  • фаза …. -165º

при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 1,78
  • фаза …. -175º

Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В:

при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. -14,5 дБ
  • фаза …. 61º

при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. -14,2 дБ
  • фаза …. 70º

при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. -10,5 дБ
  • фаза …. 60º

при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. -10 дБ
  • фаза …. 61º

Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В:

при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 8 дБ
  • фаза ….81º

при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 9,5 дБ
  • фаза …. 75º

при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 4 дБ
  • фаза …. 60º

при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 4,5 дБ
  • фаза …. 59º

Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим эмиттером приUкэ = 5 В:

при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 1,79
  • фаза …. -55º

при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 1,45
  • фаза …. -40º

при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 1,67
  • фаза …. -57º

при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 1,38
  • фаза …. -61º

Предельные эксплуатационные данные:

  • Постоянное напряжение коллектор-база …. 10 В
  • Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rэб≤ 100 Ом …. 8 В
  • Постоянное напряжение эмиттер-база …. 0,2 В
  • Импульсный ток коллектора при Т = 298 К Ти≤10 мкс, Q ≥100 …. 140 мА
  • Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 213-303 К …. 175 мВт
  • Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 343 К …. 85 мВт
  • Рассеивающая мощность коллектора в режиме усиления мощности при Тк = 213-303 К … 300 мВт
  • Рассеивающая мощность коллектора в режиме усиления мощности при Тк = 343 К … 120 мВт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Источник питания с параметрическим стабилизатором напряжения

    Источник питания с параметрическим стабилизатором напряжения

    Наиболее простым стабилизатором напряжения является параметрический стабилизатор, выполненный на основе полупроводникового стабилитрона. Стабилитрон подключается через балластный резистор к источнику входного не стабилизированного напряжения. Следует обратить внимание, что режим стабилитрона является режим пробоя p-n перехода. Если входное напряжение равно или меньше напряжения пробоя стабилитрона, то применение параметрического стабилизатора бессмысленно. Если же …Подробнее...
  • УНЧ на TDA1510

    УНЧ на TDA1510

    Напряжение питания 6…18В Максимальный ток нагрузки 4А Выходная мощность при напряжении питания 14,4В и сопротивления нагрузки 4 ОМ: КНИ=0,5% — 5,5Вт КНИ=10%  — 7Вт Ток покоя 120 мАПодробнее...
  • Регулятор громкости, баланса, тембра на TDA1524A

    Регулятор громкости, баланса, тембра на TDA1524A

    На рисунке показана схема простого регулятора громкости, баланса и тембра (ВЧ НЧ) на ИМС TDA1524A. Схема достаточна проста, в настройке не нуждается. Регулятор на TDA1524A имеет следующие технические характеристики: Полоса частот 20-20 000Гц Регулировка тембра на частоте 40Гц (bass) -19/+17db Регулировка тембра на частоте 16кГц (treble) -15/+15db Регулировка баланса -40db Входное сопротивление …Подробнее...
  • Стрелочный частотомер

    Стрелочный частотомер может измерять частоту синусоидального или другой формы сигнала от единиц герц до десятков килогерц, амплитудой от 0,1 до 20В. Диапазон частотомера разбит на 3 части : 100Гц, 1000Гц, 10 кГц. VT1 в схеме полностью открыт и усиливает только полупериоды положительной полярности. К нагрузочному резистору R3 подключен триггер Шмитта …Подробнее...
  • LCD TFT осциллограф на микроконтроллере

    LCD TFT осциллограф на микроконтроллере

    LCD TFT дисплей отлично подойдет для использования его в качестве экрана простого осциллографа позволяя получить вполне неплохое и четкое изображение сигнала. В осциллографе применен микроконтроллер PIC16F876A. Основные характеристики осциллографа: Максимальная частота дискретизации 16000 Гц. Цифровое разрешение: 10 бит. Полоса пропускания < 1000 Гц. Горизонтальная развертка 100мс 10мс 5мс. Максимальное входное напряжение …Подробнее...