| Ваш IP: 54.145.183.43 | Online(17) - гости: 10, боты: 7 | Загрузка сервера: 1.27 ::::::::::::

Сборка солнечной батареи из набора солнечных элементов

Описание процесса сборки солнечной батареи на 65 ватт из набора поликристаллических пластин.

Производство солнечных элементов из монокристаллического кремния является очень энергоемким. Большие энергозатраты на производство пластин также включают в себя значительные потери электроэнергии, так как часть монокристаллического кремния просто теряется при распиливании кристаллов на пластины. Непроизводительные потери кремния происходят и на этапе придания круглым пластинам формы приближенной к квадрату, что делается для того, чтобы добиться более полного заполнения поверхности модуля солнечными элементами. В связи с этим возникает вопрос, а нельзя ли придумать способ, позволяющий выращивать монокристаллические пластины, или найти такое компромиссное решение, которое позволило бы промышленным способом производить пластины с характеристиками подобными тем, которыми обладает монокристаллический материал. К настоящему моменту, было исследовано и предложено, по крайней мере, три метода производства фотоэлектрических элементов из поликристаллического кремния, в частности, выращивание кремния в тигле, выращивание профилированных лент через фильеру и метод ленточной протяжки.

В соответствии с одним из подходов, расплавленный кремний заливают в плавильный тигель и охлаждают при определенной скорости. В результате, получают не монокристаллический материал, так как затравочный кристалл не используется, а поликристаллический кремний с квадратным поперечным сечением, который очень близок по характеристикам к материалу из монокристаллического кремния, характеристики которого считаются оптимальными, что обеспечивает достижение КПД порядка 15%. При этом необходимость распиливать слиток на пластины не отпадает, однако получаемые пластины имеют квадратную форму и дальнейшее изменение формы механическим путем, как то требуется в случае с круглыми слитками, не применяется. Этот метод позволяет увеличить объем производства пластин в расчете на килограмм сырья за счет снижения количества потерь в результате распила.

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Двухполярный стабилизатор

    На страницы представлены 2-а варианта двух полярных стабилизатора, они позволяют выдавать стабилизированное регулируемое напряжение от 2 до +20В в первом варианте и +10…+15 В во втором. Схема №1 На А1 выполнен регулируемый стабилизатор положительного напряжения, а отрицательное напряжение производится при помощи схемы на транзисторе VT1 и компараторе на ОУ А2. …Подробнее...
  • К1156ЕУ1 — УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ

    К1156ЕУ1 — УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ

    Микросхема 1156ЕУ1 представляет из себя набор функциональных элементов предназначенный для построения импульсного стабилизатора повышающего, понижающего или инверсного типа. Прибор К1156ЕУ1Т выпускается в металлокерамическом корпусе типа 4112.16-3, а КР1156ЕУ1 – в пластмассовом корпусе типа 283.16-2. ОСОБЕННОСТИ • Рассчитан для понижающих, повышающих и инвертирующих импульсных стабилизаторов • Регулировка выходного напряжения 1,25…40В • Выходной импульсный ток………..<1,5А …Подробнее...
  • Секундомер на PIC16F877A

    Секундомер на PIC16F877A

    В схеме секундомера используется микроконтроллер PIC16F877А и индикатор LCD WH1602D. Временной диапазон от 0,1 секунд до 24 часов. Управление секундомера состоит из двух кнопок «Старт\стоп» и «Сброс». При подачи питания индикатор показывает нулевые значения, при нажатии на кнопку «Старт\стоп» начинается отсчет, при повторном нажатии кнопки во второй строке индикатора появляется промежуточное …Подробнее...
  • LM5010 — высоковольтный понижающий импульсный преобразователь напряжения

    LM5010 — высоковольтный понижающий импульсный преобразователь напряжения

    LM5010 — высоковольтный понижающий импульсный преобразователь напряжения, обладает широким диапазоном входного напряжения (8-75 В). Частота переключения ШИМ 1 МГц. Ограничение тока в нагрузке 1,25 А. C1 — 2.2 µF, 100V C2 — 15 µF, 25V C3 — 0.1 µF, 16V C4, C6 — 0.022 µF, 16V C5 — 0.1 µF, 100V D1 — SMB 100V, 2A …Подробнее...
  • Цифровая шкала генератора ЗЧ

    Принципиальная схема уст-ва показана на рис. Прибор состоит из входного усилителя — формирователя на VT1, измерительного счетчика — дешифратора на 5-и микросхемах К176ИЕ4, индикаторного табло и схемы управления на D1 и ключе VT2-VT3. Прибор предназначен для измерения частоты до 30000Гц. Такой прибор рассчитан на сигнал около 1 В и является …Подробнее...