rcl-radio.ru

К118УН1А, К118УН1Б, К118УН1В, К118УН1Г, К118УН1Д — микросхемы представляют собой двухкаскадные  усилители с рабочей частотой до 5 МГц. Различаются между собой значениями напряжения питания и коэффициентом усиления.   Номинальное напряжение питания: К118УН1А, К118УН1Б  … 6,3 В±10% К118УН1В — К118УН1Д  … 12,6 В±10% Выходное напряжение покоя: при Uп = 6,3В для  К118УН1А, К118УН1Б ………….. 2,4…3,8 В при […]

К118УД1А, К118УД1Б, К118УД1В — микросхемы представляют собой однокаскадные дифференциальные усилители с максимальной рабочей частотой до 5 МГц. Различаются между собой значениями напряжения питания, коэффициентом усиления и температурного дрейфа напряжения смещения. Номинальное напряжение питания: К118УД1А  … ±4 В±10% К118УД1Б, К118УД1В  … ±6,3 В±10% Напряжение смещения: при Uп = ±4В для К118УД1А … ±4мВ при Uп = […]

КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в генераторах кадровой и строчной разверток, УНЧ, источниках питания. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером не менее … 5 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iк = […]

КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ — транзисторы кремниевые эпитаксиальные n-p-n переключательные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в  схемах выходных каскадах строчной развертки ТВ, систем зажигания ДВС..   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 5 А, Iб = 0,5 А: КТ805А, КТ805АМ не более … 2,5 В КТ805Б, КТ805БМ не более … 5 В при Iк […]

2Т803А, КТ803А — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n мощные, универсальные. Предназначены для работы в  усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках питания.     Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iк = 0,5 А не менее … 20 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером […]

КТ802А — транзистор кремниевый меза-планарный n-p-n мощный, универсальный. Предназначен для работы в  усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, усилителях мощности, вторичных источниках питания.   Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iк = 0,5 А не менее … 10 Мгц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим […]

КТ801А, КТ801Б — транзисторы кремниевые диффузионно-сплавные n-p-n мощные. Предназначены для работы в схемах кадровой и строчной разверток, вторичных источниках питания. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iк = 0,3 А не менее … 10 Мгц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ […]

ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д — транзисторы германиевые сплавные n-p-n усилительные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ.   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 1,5 А, Iб = 0,1 А не более … 1 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 1,5 А, Iб = 0,1 А не более … 2 В Статический […]

2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n высоковольтные НЧ мощные. Предназначены для работы в импульсных модуляторах.   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 2,5 А, Iб = 1,5 А не более … 5 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 2,5 А, Iб = 1,5 А не более … 3 В Статический […]