Схема кажется простой, но усилитель достаточно мощный. Разница с традиционными конструкциями в том что введен в схему дифференциальный усилитель на интегральной микросхеме NE5534. Для нормальной работы IC1 нужно снизить напряжение питания до ± 15В. Это делается с помощью R7,9 и диодов Zener D1,2. На входе усилителя имеется фильтр высоких частот C1-R3 и низких частот R2-C2, тем самым ограничивая полосу пропускания. Операционного усилителя IC1 работает как дифференциальный усилитель, на не-счетный вход (+) выступает глубокая обратная связь. Напряжение обратной связи поступает с R4-R5, через R6. АЧХ микросхемы определяется конденсаторами C4, C5 и C12, а усиление на НЧ резисторами R6, R5, через R6 (CH40). Транзисторы Q1, Q2 работают в классе А и ток проходящий через них — 10 мА, (определяется номиналами резисторов R10, 14). На выходе усилителя стоят транзисторы Q8, 9,10,11 которые работают в режиме AB (регулируется ток покоя транзистора Q3 резистором TR1- тока покоя 100mA, для каждого выходного транзистора мощность эквивалентна падению напряжения 27mV на верхней части резисторов R25, 26,27,28). Для достижения максимальной тепловой стабильности, транзисторы Q1, 2,3,6,7 быть помещены на радиатор к силовым транзисторам. Диоды D9-10 защищает выходной каскад от обратного напряжения которое может поступить от нагрузки. R29 и С18 — повышают устойчивость на высоких частотах. Индуктивности L1, (состоящий из 15 витков провода диаметром 1 мм), защищает усилитель от проблем связанных с наличием емкостной нагрузки.
Сборка усилителя не слишком сложна для тех, кто имеет определенный опыт в этой области. Чтобы получить хорошее охлаждение мощных транзисторов, необходим хороший радиатор достаточно больший, который может быть оснащен нуждаться вентилятором, так как температура повышается при длительной работе усилителя при полной мощности и при малых нагрузках близких к 4 Ом. Усилитель имеет два устройства, по одному для каждого канала.
Элементная база
| R1=68Kohm | C1=2.2uF 100V MKT | Q2=MJE340 |
| R2=2.2Kohm | C2=1nF 100V MKT | Q3=BD139 |
| R3-6=22Kohm | C3-8-9-10-11-14-15=100NF | Q4=BC546B |
| R4-22-23=1Kohm | C4=33pF 160V polystyrene | Q5=BC556B |
| R5-8-10-14=560 ohm | C5=47pF 160V polystyrene | Q6=MJE15030 |
| R7-9=3.3Kohm 5W | C6-7=100uF 63V | Q7=MJE15031 |
| R11-15=150 ohm | C12=470pF 160V polystyrene | Q8-9=MJ15003 |
| R12-13=15Kohm | C13=680nF 100V MKT | Q10-11=MJ15004 |
| R16=680 ohm | C16-17=150nF 100V MKT | D1-2=15V 1.5W Z |
| R17=180 ohm | C18=33nF 250V MKT | D3-4=BAT85 |
| R18-19=10 ohm | C19-20=100uF 100V | D5-6-7-8=1N4004 |
| R20-21=27Kohm | L1= See text | D9-10=BY254 |
| R24=56 ohm | F1-2=6.3AT FUSE | |
| R25-26-27-28=0.27 ohm/ 5W | TR1=250 ohms TRIM | |
| R29=10 ohm/ 5W | IC1=NE5534 | |
| R30=2.2 ohm/5W | Q1=MJE350 |
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Входная чувствительность 1 V
Входное сопротивление 17,8 кОм
Выходная мощность (0,1% — коэф. гармоник) -8 Ом 164Watt 275Watt-4 Ом
20V/ms скоростью нарастания
Отношение сигнал / шум> — 96dB
коэф. гармоник <0,004% (1кГц) в 1 ватт-8ohms и <0,05% (20Hz-20KHz)
коэф. гармоник <0,003% в 1Watt 8ohms и <0,0035% в 100Watt 8ohms
Коэффициент затухания (в 8ohm)> 345 в 1KHz и <275 в 20KHz
Элементная база блока питания
| T1=110-240V@ 2X42.5V 650VA @[2X15V 1A*] | BR1-3=400V 35A BRIDGE | C5-8=2200uF 25V |
| BR2=200V 3A BRIDGE | C6-9=100nF 100V | |
| T2=110-240V@ 2X42.5V 650VA | C1-2-3-4=10000 uF 100V | C7-10=47uF 25V |
| F1=3.15 AT FUSE | C11-12-13-14=10000 uF 100V | C15=33nF 630V |
| RX-CX-RL1 | S1= SWITCH 2X2 10A |
Источник http://users.otenet.gr
Загрузка...