Биполярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) по характеристикам близки к биполярным транзисторам, но имеют более высокое быстродействие и меньшее напряжение насыщения. Большинство специализированных микросхем не пригодны для непосредственного управления БСИТ, так как его необходимо закрывать вытекающим (обратным) током. Поэтому представлена схема ИПП на дискретных элементах. Основные технические характеристики: Напряжение питающей сети — 150…240В Выходное напряжение […]
Просмотров: 11 545 | Читать статью |