При эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, интегральных микросхем) прежде всего необходимо соблюдать полярность подводимых к их выводам напряжений. Транзисторы со структурой р-n-р должны иметь отридательный потенциал на коллекторе по отношению к эмиттеру и базе. Потенциал базы в схеме включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) должен быть отрицательным по отношению к эмиттеру. Транзисторы с n-р-n структурой […]
Просмотров: 4 239 | Читать статью |