КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г — транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы у УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ816А … 25 В КТ816Б … 40 В КТ816В … 60 В КТ816Г … 80 […]
 5,00 (1) Загрузка... |
Просмотров: 1 716 | Читать статью |
КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г — транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы у УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ814А … 25 В КТ814Б … 40 В КТ814В … 60 В КТ814Г … 80 […]
| 5,00 (1) Загрузка... |
Просмотров: 1 335 | Читать статью |