В этом видео уроке наглядно показан процесс пайки микросхемы сетевого контроллера в корпусе QFN с помощью обыкновенного паяльника и термовоздушного фена для пайки.
Обновлено: 02.06.2015 в 21:49 | Просмотров: 4 744 |
 5,00 (1) Загрузка... |
Похожие статьи
Урок по пайке. Пайка планарной микросхемы с помощью фена
[gallery link="none" columns="2" ids="19208,19209"] В этом видео уроке наглядно показан процесс пайки многоножной микросхемы мультиконтроллера с помощью, обыкновенного, термовоздушного фена AYOUE
Урок пайки + ремонт материнской платы.
В видео показан урок запайки микросхемы паяльником с жалом типа микроволна.
Особенности эксплуатации полупроводниковых приборов
При эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, интегральных микросхем) прежде всего необходимо соблюдать полярность подводимых к их выводам напряжений. Транзисторы со структурой р-n-р должны иметь отридательный потенциал на коллекторе по отношению к эмиттеру и базе. Потенциал базы в схеме включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) должен быть отрицательным по отношению к эмиттеру. Транзисторы с n-р-n структурой должны иметь положительный потенциал на коллекторе и базе по...
Радиодетали и модули для самоделок: как искать компоненты по параметрам
Радиодетали и модули для самоделок: как искать компоненты по параметрам Компонент для самоделки ищут по набору главных параметров, одного названия для этого мало. Для резистора это номинал, мощность, допуск и корпус. Для конденсатора ёмкость, рабочее напряжение и тип диэлектрика. Для транзистора структура, предельные ток и напряжение, корпус и расположение выводов. Для готового модуля напряжение питания, интерфейс и логические уровни. Найденную позицию сверяют с документацией производителя до...
Приемник на одной микросеме
На рис. показана схема простейшего приемника, собранного всего на одной микросхеме КП8УС1Б (КП8УН1Б) или К122УН1Б (К122УС1Б), представляющей собой двухступенный усилитель ВЧ на двух кремниевых высокочастотных n-р-n транзисторах, близких по параметрам транзисторам серии КТ315. Коэффициент усиления напряжения такого усилителя в диапазонах ДВ и СВ лежит в пределах 400...600, значит, при использовании магнитной антенны с укороченным ферритовым стержнем чувствительность приемника с учетом ослабления...
[gallery link="none" columns="2" ids="19208,19209"] В этом видео уроке наглядно показан процесс пайки многоножной микросхемы мультиконтроллера с помощью, обыкновенного, термовоздушного фена AYOUE
Урок пайки + ремонт материнской платы.
В видео показан урок запайки микросхемы паяльником с жалом типа микроволна.
Особенности эксплуатации полупроводниковых приборов
При эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, интегральных микросхем) прежде всего необходимо соблюдать полярность подводимых к их выводам напряжений. Транзисторы со структурой р-n-р должны иметь отридательный потенциал на коллекторе по отношению к эмиттеру и базе. Потенциал базы в схеме включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) должен быть отрицательным по отношению к эмиттеру. Транзисторы с n-р-n структурой должны иметь положительный потенциал на коллекторе и базе по...
Радиодетали и модули для самоделок: как искать компоненты по параметрам
Радиодетали и модули для самоделок: как искать компоненты по параметрам Компонент для самоделки ищут по набору главных параметров, одного названия для этого мало. Для резистора это номинал, мощность, допуск и корпус. Для конденсатора ёмкость, рабочее напряжение и тип диэлектрика. Для транзистора структура, предельные ток и напряжение, корпус и расположение выводов. Для готового модуля напряжение питания, интерфейс и логические уровни. Найденную позицию сверяют с документацией производителя до...
Приемник на одной микросеме
На рис. показана схема простейшего приемника, собранного всего на одной микросхеме КП8УС1Б (КП8УН1Б) или К122УН1Б (К122УС1Б), представляющей собой двухступенный усилитель ВЧ на двух кремниевых высокочастотных n-р-n транзисторах, близких по параметрам транзисторам серии КТ315. Коэффициент усиления напряжения такого усилителя в диапазонах ДВ и СВ лежит в пределах 400...600, значит, при использовании магнитной антенны с укороченным ферритовым стержнем чувствительность приемника с учетом ослабления...