| Ваш IP: 35.172.195.82 | Online(36) - гости: 20, боты: 16 | Загрузка сервера: 1.1 ::::::::::::

Расчет числа витков катушки на тороидальном ферритовом сердечнике

Маркировка размеров кольцевых сердечников

Сначала цифрами указывается величина начальной магнитной проницаемости, затем марка используемого материала, и потом размер кольца в миллиметрах:

2000НН D x d x h

Где — 2000 величина начальной магнитной проницаемости, НН – марка материала, D – внешний диаметр, d – внутренний диаметр, h – толщина кольца, все размеры в миллиметрах.

Для более простых расчетов стоит воспользоваться оценочными формулами, позволяющими получить приближенные значения параметров катушки по известным характеристикам:

97526198761587162598 При D1/D2> 1.75 При D1/D2< 1.75

Формула 1

Формула 2326782369876823767

где: ω – число витков катушки, намотанной на кольце, L— индуктивность мкГн, µ — магнитная проницаемость, D1-наружный диаметр кольца, D2-внутренний диаметр кольца, h-высота кольца (все в мм).

Онлайн калькулятор расчета числа витков катушки на тороидальном ферритовом сердечнике

Расчет индуктивности катушки на тороидальном ферритовом сердечнике

Расчет начальной магнитной проницаемости ферритовых колец по пробной обмотке

Равномерно по всему кольцу намотайте не менее 5 витков провода, измерьте индуктивность полученной катушки и заполните предложенную форму.

 


В качестве эксперимента был взят тороидальный ферритовый сердечник с магнитной проницаемостью 2000 с внешним диаметром 46 мм, внутренним диаметром 28, высотой 8 мм. Намотав равномерно по всему кольцу 17 витков провода была получена индуктивность 444 мкГн (измерена при помощи Е7-21).

Вот результаты расчета по данному примеру:

 

Добавить комментарий

Войти с помощью: 

Случайные статьи

  • Полный УМЗЧ 50 Вт на ИМС LM3886

    Полный УМЗЧ 50 Вт на ИМС LM3886

    Основные характеристики LM3886: Долговременная максимальная выходная мощность, не менее: на нагрузке 4 Ом — 68 Вт (при напряжении питания 28 В); на нагрузке 8 Ом — 50 Вт (при напряжении питания 35 В); Диапазон эффективно усиливаемых частот — 20…20 000 Гц; Коэффициент нелинейных искажений при 60 Вт; 4 Ома; 0,2…20 …Подробнее...
  • Усилитель класса D на ИМС TDA8927

    Усилитель класса D на ИМС TDA8927

    На основе ИМС TDA8927 которая работает совместно с TDA8929 можно собрать усилитель с выходной мощностью 65 Вт на канал или 150 Вт в мостовом варианте. Данный усилитель имеет очень высокий КПД, что позволяет использовать ИМС TDA8927 без радиатора или использовать радиатор небольшого размера. Основные характеристики усилителя: Усилитель имеет широкий диапазон питающих напряжений от ±15 …Подробнее...
  • Предусилитель с эквалайзером

    Предусилитель с эквалайзером

    Предусилитель выполнен на одной ИМС К1401УД2А, которая содержит 4-е ОУ, в стерео варианте по 2-а ОУ на канал. Общий коэффициент передачи(усиления) равен 5-и, максимальное входное напряжение 0,5В, номинальное 0,2В. Входное сопротивление 100кОм. Диапазон частот 30…20000Гц при неравномерности АЧХ 2 дБ. Регулировка АЧХ 6-и полосная с центральными частотами 60, 200, 1000, …Подробнее...
  • Малошумящий регулятор тембра на 5-и транзисторах

    Малошумящий регулятор тембра на 5-и транзисторах

    Ранее были опубликованы схемы малошумящих регуляторов тембра на двух и трех транзисторах С945, схема показанная ниже содержит по пять транзисторов на канал, это схема обладает лучшей чувствительностью и еще меньшем шумом. Напряжение питания может быть от 12 до 24 В, ток потребления не превышает 100 мА. С945 это старые транзистор …Подробнее...
  • Транзисторы отечественные биполярные — справочник

    Транзисторы отечественные биполярные — справочник

    Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем. …Подробнее...