| Ваш IP: 34.228.42.25 | Online(40) - гости: 15, боты: 25 | Загрузка сервера: 2.5 ::::::::::::

Особенности эксплуатации полупроводниковых приборов

При эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, интегральных микросхем) прежде всего необходимо соблюдать полярность подводимых к их выводам напряжений. Транзисторы со структурой р-n-р должны иметь отридательный потенциал на коллекторе по отношению к эмиттеру и базе. Потенциал базы в схеме включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) должен быть отрицательным по отношению к эмиттеру. Транзисторы с n-р-n структурой должны иметь положительный потенциал на коллекторе и базе по отношению к эмиттеру. Потенциал базы в схеме включения с ОЭ для этого типа транзисторов должен быть положительный.
Неправильное включение транзисторов и интегральных микросхем может привести к выводу их из строя даже при подаче на выводы небольших напряжений обратной полярности.
При впаивании транзисторов и интегральных микросхем необходимо соблюдать меры предосторожности, поскольку выводы их могут сильно нагреваться, а чрезмерный перегрев приведет к выходу их из строя. Время пайки должно быть по возможности минимальным. Для отвода тепла при пайке выводы транзисторов необходимо охватить пинцетом.
Для избежания выхода из строя транзисторов и интегральных микросхем во время пайки за счет возникновения токов утечки между стержнем паяльника, включенного в сетевую розетку, и выводами приборов паяльник должен быть заземлен или включен в сеть через трансформатор.
В случае необходимости при монтаже выводы транзисторов можно сгибать с помощью плоскогубцев с большой осторожностью — места выводов транзисторов и диодов очень чувствительны к механическим нагрузкам. Изгибать выводы ближе 5 мм от корпуса и использовать их для крепления транзисторов недопустимо.
В процессе монтажа микросхем должны быть также приняты меры, исключающие повреждение из-за перегрева и механических усилий. Пайка микросхем должна производиться групповым паяльником для одновременного прогрева всех выводов микросхемы. Время пайки должно быть не более 3 с. Допускается поочередная пайка выводов микросхемы. При этом интервал между пайками соседних выводов должен быть не менее 10 с. Жало паяльника должно быть заземлено.
Транзисторы и микросхемы при эксплуатации очень чувствительны к температуре окружающей среды. Поэтому необходимо обеспечить условия отвода тепла от транзисторов за счет нагревания тепловыделяющими элементами конструкции.

Литература
Бытовая радиоаппаратура и ее ремонт: Учеб. посо­бие для ПТУ. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1984.\Алексеев Ю. П.

Добавить комментарий

Войти с помощью: 

Случайные статьи

  • Источник опорного напряжения

    Источник опорного напряжения

    На рисунке показана схема источника опорного напряжение, который может работать от двух батареек AA в течении 18 месяцев. Дрейф напряжения не более 5,5 мкВ  / ° С. Выходное напряжение источника 1,23 В при 25 ° C. Регулировка выхода опорного напряжения не более чем на 120мВ.Подробнее...
  • BA5417 стерео-усилитель 2*5Вт

    BA5417 стерео-усилитель 2*5Вт

    Усилитель на базе ВА5417 имеет выходную мощность 5 Вт на канал при 4 ом нагрузке, питание 12В (от 6 до 15В) постоянного напряжения. Усилитель на BA5417 имеет отличное качество звука и низкий коэффициент нелинейных искажений, не более 0,1% на частоте 1 кГц при Рвых=0, 5Вт. SA1 — включение режима ОЖИДАНИЕ …Подробнее...
  • Термометр на PIC16F628A (-55…+125 гр. Цельсия)

    Термометр на PIC16F628A (-55…+125 гр. Цельсия)

    На рисунке показана схема термометра выполненного на основе микроконтроллера PIC16F628A, в качестве датчика используется цифровой датчик температуры DS18B20. Индикатор термометра состоит из 4-х разрадного семисегментного индикатора. Диапазон измеряемой температуры от -55 до + 125 градусов Цельсия. Температура считывается каждые 15 секунд, время считывания можно изменить в коде.   Напряжение питания термометра 5В, …Подробнее...
  • Высокоточный стабилизатор

    Высокоточный стабилизатор

    Можно добиться суммарной нестабильности вызванной изменением нагрузки, входного напряжения и температуры менее 0,01% применив схему показанную на рисунке. R4 определяет ток через стабилитрон, ток стабилитрона определяет температурный дрейф. R2 и R3 высокоточные резисторы. Литература — Джеймс Уитсон — 500 практических схем на ИСПодробнее...
  • Медный обмоточный провод

    В табл. представлены обмоточные провода ПЭВ-1 ПЭВ-2, они одножильные с винифлексовой изоляцией(лак). ПЭВ- 1-однослойная изоляция 2-двухслойная. Провода рассчитаны на работу при температуре от -60 до 105 градусов Цельсия. Ресурс провода при макс. температуре 20000 часов.Подробнее...