| Ваш IP: 3.235.186.94 | Online(39) - гости: 12, боты: 26 | Загрузка сервера: 0.26 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD6N50E1S
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора HGTD6N50E1S

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 7.5A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 90/24nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
STGB3NB60HDN-Channel70W600V2.8V600V±20V6A16/30nS235pFDPAK
STGD7NB60HN-Channel55W600V2.8V600V±20V7A15/48nS560pFDPAK
HGTD6N40E1N-Channel60W400V2.5V400V±20V7.5A90/24nSIPAK
HGTD6N40E1SN-Channel60W400V2.5V400V±20V7.5A90/24nSDPAK
HGTD6N50E1N-Channel60W500V2.5V500V±20V7.5A90/24nSIPAK
G6N40EN-Channel60W400V2.5V400V±20V7.5A90/24nSIPAK
G6N50EN-Channel60W500V2.5V500V±20V7.5A90/24nSDPAK
Просмотров: 267 211