| Ваш IP: 18.225.209.95 | Online(25) - гости: 16, боты: 8 | Загрузка сервера: 0.15 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD6N40E1S
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора HGTD6N40E1S

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 400V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 400V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 7.5A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 90/24nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTD6N40E1N-Channel60W400V2.5V400V±20V7.5A90/24nSIPAK
G6N40EN-Channel60W400V2.5V400V±20V7.5A90/24nSIPAK
Просмотров: 295 447