Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора STGB3NB60HDОсновные параметры IGBT транзистора STGB3NB60HD
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 70W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 16/30nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 235pF
- Производитель: STE
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус| MGP7N60E | N-Channel | 81W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 7A | 22/64nS | 610pF | TO220 | | STGP7NB60HD | N-Channel | 80W | 600V | 2.8V | 600V | ±20V | 7A | 15/48nS | 560pF | TO220 | | HGTD6N50E1S | N-Channel | 60W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | DPAK | | HGTD6N50E1 | N-Channel | 60W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | IPAK | | G6N50E | N-Channel | 60W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | DPAK | |
|
| |
| |
Просмотров: 294 738