| Ваш IP: 52.14.8.34 | Online(28) - гости: 15, боты: 13 | Загрузка сервера: 1.04 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора STGP7NB60HD
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора STGP7NB60HD

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 80W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 7A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 15/48nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 560pF
  • Производитель: STE
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
MGP7N60EN-Channel81W600V2V600V±20V7A22/64nS610pFTO220
STGB3NB60HDN-Channel70W600V2.8V600V±20V6A16/30nS235pFDPAK
Просмотров: 296 667