2Т368А, 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с ненормированным (2Т368Б, КТ368Б ) и нормированным (2Т368А, КТ368А) коэффициентом шума на частоте 60 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих цепях усилителей ВЧ.
Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее …. 900 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 30 МГц не более …. 15 пс
Коэффициент шума при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 60 МГц, Rг = 75 Ом 2Т368А, КТ368А не более 3,3 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Iк = 10 мА:
- при Т = 298 К …. 50-300
- при Т = 213 К 2Т368А, 2Т368Б …. 25-300
- при Т = 398 К 2Т368А, 2Т368Б …. 40-500
Граничное напряжение при Iэ = 10 мА не менее 15 В
Обратный ток коллектора при Uкб = 5 В, Т = 298 К не более 0,5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 4 В, Т = 298 К не более …. 1 мкА
Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 1 кГц не более …. 6 Ом
Емкость коллекторного перехода:
- при Uэб = 1 В 2Т368А, 2Т368Б не более 3 пФ
- при Uэб = 4 В КТ368А, КТ368Б не более 3 пФ
Конструктивная емкость между выводами эмиттера и корпуса 0,45 пФ
Конструктивная емкость между выводами коллектора и корпусом 0,6 пФ
Конструктивная емкость между выводами базы и корпусом 0,4 пФ
Конструктивная емкость между выводами коллектора и эмиттера 0,08 пФ
Конструктивная емкость между выводами коллектора и базы 0,15 пФ
Предельные эксплуатационные данные:
- Постоянное напряжение коллектор — база …. 15В
- Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rэб ≤ 3 кОм …. 15 В
- Постоянное напряжение эмиттер — база …. 4 В
- Импульсное напряжение коллектор- база при Ти≤0,5 мс, Q≥2 …. 20 В
- Импульсное напряжение коллектор- эмиттер при Rэб ≤ 3 кОм, Ти≤0,5 мс, Q≥2 …. 20 В
- Постоянный ток коллектора …. 30 мА
- Постоянный ток эмиттера …. 30 мА
- Импульсный ток коллектора при Ти≤0,5 мс, Q≥2 …. 60 мА
- Импульсный ток эмиттера при Ти≤0,5 мс, Q≥2 …. 60 мА
- Постоянная рассеивающая мощность при Т = 213-338 …. 225 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...