| Ваш IP: 54.224.255.17 | Online(40) - гости: 29, боты: 10 | Загрузка сервера: 4.44 ::::::::::::

Категория – Справочник

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные маломощные с нормированным коэффициентом шума, ВЧ. Предназначены для работы в усилителях ВЧ. Коэффициент шума при f = 1,6 МГц, Uкб = 5В, Iэ = 1 мА не более: ГТ310А, ГТ310Б …. 3 дБ ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е …. 4 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, […]

Загрузка...
Просмотров: 2 058 Подробнее

2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д

2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б и усиления сигналов ВЧ 2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д. Граничная частота при Uкб =5 В, Iэ = 10 мА не менее: 2Т306А, 2Т306В, КТ306А, КТ306В …. 300 МГц 2Т306Б, КТ306Б, 2Т306Г, КТ306Г …. 500 МГц […]

Загрузка...
Просмотров: 1 179 Подробнее

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях ВЧ. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5В, Iэ = 5 мА не менее: ГТ309А, ГТ309Б …. 120 МГц ГТ309В, ГТ309Г …. 80 МГц ГТ309Д, ГТ309Е …. 40 МГц Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ […]

Загрузка...
Просмотров: 1 975 Подробнее

1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В

1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В — германиевые диффузионно-сплавные е транзисторы, p-n-p, универсальные ВЧ, маломощные. Предназначены для работы в усилителях мощности, автогенераторах и импульсных схемах. Граничное напряжение при Iк = 10 мА не менее 15 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при  Iк = 50 мА, Iб = 3 мА не более: 1Т308А, ГТ308А …. 1,5 В 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В …. 1,2 В Напряжение насыщения база-эмиттер при  Iк = 50 мА, […]

Загрузка...
Просмотров: 2 206 Подробнее

КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е

КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, усилительные ВЧ. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 150 мА, Т = 298 К не менее: КТ630А …. 40-120 КТ630Б …. 80-240 КТ630В, КТ630Г …. 40-120 КТ630Д …. 80-240 […]

Загрузка...
Просмотров: 1 144 Подробнее

КТ618А

КТ618А — кремниевый планарный транзистор, n-p-n, переключательный, высоковольтный. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 40 В, Iэ = 1 мА не менее 30 Модуль коэффициента передачи тока при  Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА, f = 20 МГц не менее 2 Емкость коллекторного перехода при Uкбо = 40 В, не более […]

Загрузка...
Просмотров: 685 Подробнее

КТ617А

КТ617А — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор, n-p-n, переключательный, ВЧ. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Iэ = 400 мА не менее 30 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА не более 0,7 В Модуль коэффициента передачи тока при  Uкб = 10 В, Iэ […]

Загрузка...
Просмотров: 757 Подробнее

КТ616А, КТ616Б

КТ616А, КТ616Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 1 В, Iэ = 1 мА не менее: КТ616А ….40 КТ616Б …. 25 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,05 А не более 0,6 В Напряжение насыщения база-эмиттер при […]

Загрузка...
Просмотров: 785 Подробнее

КТ608А, КТ608Б, 2Т608А, 2Т608Б

КТ608А, КТ608Б, 2Т608А, 2Т608Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и ВЧ схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 200 мА, Т = 298 К: 2Т608А …. 25-80 2Т608Б …. 50-160 КТ608А …. 20-80 КТ608Б …. 40-160 Статический коэффициент передачи тока в схеме с […]

Загрузка...
Просмотров: 1 794 Подробнее

КТ605А, КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ

КТ605А, КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ  — кремниевые меза-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные, высокочастотные, маломощные. Предназначены для применения в импульсных , переключательных и усилительных ВЧ схемах. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более 8 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА не менее: КТ605А …. 10-40 КТ605Б …. […]

Загрузка...
Просмотров: 1 446 Подробнее