| Ваш IP: 54.226.23.160 | Online(30) - гости: 18, боты: 10 | Загрузка сервера: 5.98 ::::::::::::

Электронная техника. Начало

На данной странице приведена информация о книге «Электронная техника. Начало». В ней в доступной форме описано устройство и принцип действия некоторых компонентов и распространённых электрических цепей. Материал книги изложен кратко, а дополнительную информацию читатели смогут найти в изданиях, внесённых в список литературы.

Содержание книги

ПРЕДИСЛОВИЕ

1. ПРОСТЕЙШИЕ КОМПОНЕНТЫ

1.1. Резисторы

1.2. Варисторы и негисторы

1.3. Терморезисторы

1.4. Конденсаторы

1.5. Ионисторы

1.6. Моточные компоненты

1.6.1. Катушки индуктивности и дроссели

1.6.2. Трансформаторы и пьезотрансформаторы

2. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ПЕРЕХОДЫ

2.1. Общие сведения об электропроводности веществ

2.1.1. Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники

2.1.2. Носители заряда. Проводимости полупроводников: собственная и примесная

2.1.3. Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них

2.2. Электронно-дырочный переход

2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода

2.2.2. Прямое и обратное включения электронно-дырочных переходов

2.2.3. Ёмкости и частотные свойства электронно-дырочных переходов

2.2.4. Пробои электронно-дырочных переходов

2.3. Переход и диод Шоттки: получение и включения в прямом и обратном направлении

2.4. Гетеропереходы

2.5. Эффекты полупроводников

2.5.1. Эффект Ганна

2.5.2. Эффект поля

2.5.3. Эффект Суля

2.5.4. Эффекты Пельтье и Зеебека

2.5.5. Туннельный эффект

2.5.6. Эффект Холла

3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

3.1. Конструкция и основные параметры полупроводниковых диодов

3.1.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах

3.1.2. Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов

3.1.3. Некоторые основные параметры полупроводниковых диодов

3.2. Выпрямительные диоды

3.3. Импульсные диоды

3.4. Варикапы

3.5. Стабилитроны и стабисторы

3.6. Светодиоды

3.7. Полупроводниковые лазеры

3.8. Фотодиоды

4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

4.1. Общие сведения о транзисторах

4.2. Конструкция некоторых биполярных транзисторов

4.3. Принцип действия биполярных транзисторов

4.4. Схемы включения биполярных транзисторов

4.4.1. Схема включения транзистора с общим эмиттером

4.4.2. Схема включения транзистора с общим коллектором

4.4.3. Схема включения транзистора с общей базой

4.5. Биполярные фототранзисторы

4.6. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов

4.7. Влияние температуры на режимы работы биполярных транзисторов

5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

5.1. Общие сведения о полевых транзисторах

5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом

5.2.1. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом

5.2.2. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом

5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором

5.3.1. Полевые транзисторы со встроенным каналом

5.3.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом

5.4. Режимы работы полевых транзисторов

5.4.1. Динамический режим работы транзистора

5.4.2. Ключевой режим работы транзистора

6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМИ ЗАТВОРАМИ

6.1. Общие сведения о БТИЗ

6.2. Конструкция и принцип действия БТИЗ

6.3. Основные параметры БТИЗ

7. ТИРИСТОРЫ

7.1. Общая информация о тиристорах

7.2. Динисторы

7.3. Тринисторы

7.4. Запираемые тиристоры

7.5. Симисторы

7.6. Фототиристоры

7.7. Основные параметры тиристоров

8. ВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

8.1. Общие сведения об электровакуумных приборах

8.2. Электровакуумные диоды

8.2.1. Конструкция и принцип действия электровакуумных диодов

8.2.2. Основные параметры и анодная характеристика электровакуумных диодов

8.3. Триоды

8.3.1. Конструкция и принцип действия триодов

8.3.2. Основные характеристики и параметры триодов

8.4. Тетроды

8.4.1. О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их параметры

8.4.2. Динатронный эффект

8.5. Лучевые тетроды

8.6. Пентоды

8.7. Лампы бегущей волны

8.8. Лампы обратной волны

8.9. Пролётные клистроны

8.10. Магнетроны

8.11. Мазеры

8.12. Тиратроны

8.13. Крайтроны и спрайтроны

9. ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ

9.1. Интегральные микросхемы

9.2. Плёночные микросхемы

9.3. Гибридные интегральные микросхемы

9.4. Полупроводниковые микросхемы

10. УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ

10.1. Индикаторы

10.1.1. Светодиодные индикаторы

10.1.2. Жидкокристаллические индикаторы

10.2. Общие сведения об электронно-лучевых трубках

10.3. Жидкокристаллические дисплеи и панели

10.3.1. Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях

10.3.2. Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев

10.3.3. Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев

10.3.4. Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу

10.4. Плазменные панели

10.5. Органические светодиодные дисплеи

10.6. Дисплеи на углеродных нанотрубках

10.7. Сенсорные экраны и классификация их типов

10.8. Голографические системы

11. АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА

11.1. Усилители сигналов и их классификация

11.2. Основные параметры и характеристики усилителей

11.2.1. Основные параметры усилителей

11.2.2. Важнейшие характеристики усилителей

11.3. Работа простейшего усилителя на различных частотах

11.4. Выходные усилительные каскады

11.4.1. Однотактный трансформаторный каскад

11.4.2. Двухтактный трансформаторный каскад

11.4.3. Двухтактный бестрансформаторный каскад

11.5. Основные сведения о режимах работы усилителей

11.5.1. Проходная динамическая характеристика и общие сведения о классах усиления

11.5.2. Режим работы класса A

11.5.3. Режим работы класса B

11.5.4. Режим работы класса AB

11.5.5. Режим работы класса C

11.5.6. Режим работы класса D

11.6. Сведения об обратных связях и о влиянии, которое они оказывают на работу усилителей

11.6.1. Основная информация об обратных связях

11.6.2. Влияние обратных связей на коэффициенты усиления каскадов

11.7. Автогенераторы

11.8. Усилители постоянного тока

11.8.1. Усилитель постоянного тока с непосредственными связями

11.8.2. Дифференциальный усилитель

11.8.3. Операционные усилители

11.8.4. Обзор некоторых параметров операционных усилителей

Скачать — http://www.moskatov.narod.ru/Electronic_technics.html

*** Сайт rcl-radio.ru не содержит в своем архиве данную книгу, при нажатии Скачать происходит переход на сайт автора.

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Электронные часы

    Электронные часы

    В данной статье будут рассмотрены типовые узлы электронных часов и их принцип работы. Основа электронных часов микросхема К176ИЕ12 в состав которой входят: генератор с внешним кварцевым резонатором на частоту 32768Гц два делителя частоты СТ2 на 32768 и СТ60 на 60 (см. рис. А.) При подключении к микросхеме кварцевого резонатора на …Подробнее...
  • Простой лабораторный блок питания

    Как известно, для питания схем на операционных усилителях требуется двуполярный стабилизированный источник питания ±15 В. Желательно иметь в лабораторном блоке питания и регулируемый источник питания при выходном токе до 1 А. Принципиальная электрическая схема блока питания, отвечающая этим требованиям, изображена на рис.1. Снимаемое со вторичной обмотки трансформатора Т1 напряжение 14… …Подробнее...
  • Запуск перегоревшей люминесцентной лампы

    Запуск перегоревшей люминесцентной лампы

    На рисунке показана простая схема позволяющая продлить использование люминесцентной лампы даже с перегоревшими нитями накала. При выборе элементов схемы необходимо руководствоваться таблицей. Мощность лампы С1, С4 С2, С3 Д1-Д4 R1 Вт мкФ пФ Ом 30 40 80 100 4 10 20 20 3300 6800 6800 6800 Д226Б Д226Б Д205 Д231 …Подробнее...
  • Электронный балласт для люминесцентной лампы

    Электронный балласт для люминесцентной лампы

    Электронный балласт для люминесцентной лампы показанная на рисунке позволяет обойтись без пускателей и дросселей при запуске люминесцентной лампы. Электронный балласт основан на микросхеме L6569. Схема питается от сетевого напряжения 110В и 220В и рассчитана для питания люминесцентной лампы мощностью 18Вт. Схема не содержит дорогостоящих компонентов. Бурное развитие энергосберегающих технологий в …Подробнее...
  • Индикатор магнитного поля — детектор скрытой проводки

    Вокруг проводников, по которым протекает переменный ток, создается не только переменное электрическое поле, но и переменное магнитное поле. Поэтому для обнаружения скрытой проводки можно регистрировать переменное магнитное поле. Индикатор магнитного поля содержит датчик магнитного поля В1, усилитель переменного тока на ОУ DA1 и компаратор напряжения на ОУ DA2. Если датчик …Подробнее...