| Ваш IP: 54.226.23.160 | Online(28) - гости: 14, боты: 13 | Загрузка сервера: 5.9 ::::::::::::

1Т387А-2, 1Т387Б-2

1Т387А-2, 1Т387Б-2 — транзисторы германиевые планарные n-p-n  СВЧ генераторные.

Предназначены для усиления и генерирования СВЧ сигналов.

Маркировка — наносится условная маркировка цветными точками:

  •  1Т387А-2 — черная
  • 1Т387Б-2 — белая

Выходная мощность в режиме автогенератора при  Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не менее:

  • 1Т387А-2 при f = 3 ГГц …. 50 мВт
  • 1Т387Б-2 при f = 4 ГГц …. 50 мВт

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iэ = 50 мА не менее:

  • 1Т387А-2 …. 2,16 ГГц
  • 1Т387Б-2 …. 3 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 30 мА, f = 30 МГц не более:

  • Т387А-2 …. 6,5 пс
  • 1Т387Б-2 …. 4 пс

Коэффициент усиления по мощности при Uкб = 7 В не менее:

  • 1Т387А-2 в схеме с общей базой при f = 2,25ГГц Nк = 30% …. 2
  • 1Т387Б-2 в схеме с общим эмиттером при f = 0,5 ГГц, Iэ = 20 мА …. 10

Минимальный коэффициент шума при Uкб = 7 В:

1Т387А-2 в схеме с общим эмиттером при Iэ = 5-30 мА

  • при f = 0,1 ГГц …. 2,5 дБ
  • при f = 1 ГГц …. 5 дБ

1Т387Б-2  при Iэ = 10-20 мА

  • при f = 0,5 ГГц в схеме с общим эмиттером …. 3 дБ
  • при f = 1 ГГц в схеме с общей базой …. 4,8 дБ
  • при f = 12,5 ГГц в схеме с общей базой …. 7,5 дБ

Граничное напряжение при Iэ = 50 мА не менее …. 8 В

Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В не более:

  • при Т = 213 и Т = 298 К К …. 10 мкА
  • при Т = 343 К …. 100 мкА

Обратный ток эмиттера при  Uэб = 0,2 В не более :

  • при Т = 213 и Т = 298 К К …. 10 мкА
  • при Т = 343 К …. 100 мкА

Сопротивление базы при Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не более …. 9 Ом

Сопротивление коллектор — база при Uкб = 7 В, Iэ = 50 мА не более …. 4,5 Ом

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более …. 3 пФ

Емкость эмиттерного  перехода при Uэб = 0 В не более …. 4,5 пФ

Индуктивность база в режиме насыщения при Uкб = 0 В, Iк = 50 мА, f  = 1 Ггц не более …. 0,45 нГн

Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 3,2 В,

при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 1,78
  • фаза …. -140º

при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 1,55
  • фаза …. -150º

при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 1,92
  • фаза …. -165º

при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 1,78
  • фаза …. -175º

Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В:

при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. -14,5 дБ
  • фаза …. 61º

при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. -14,2 дБ
  • фаза …. 70º

при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. -10,5 дБ
  • фаза …. 60º

при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. -10 дБ
  • фаза …. 61º

Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В:

при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 8 дБ
  • фаза ….81º

при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 9,5 дБ
  • фаза …. 75º

при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 4 дБ
  • фаза …. 60º

при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 4,5 дБ
  • фаза …. 59º

Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим эмиттером приUкэ = 5 В:

при Iк = 10 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 1,79
  • фаза …. -55º

при Iк = 30 мА, f = 0,5 ГГц:

  • модуль …. 1,45
  • фаза …. -40º

при Iк = 10 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 1,67
  • фаза …. -57º

при Iк = 30 мА, f = 1 ГГц:

  • модуль …. 1,38
  • фаза …. -61º

Предельные эксплуатационные данные:

  • Постоянное напряжение коллектор-база …. 10 В
  • Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rэб≤ 100 Ом …. 8 В
  • Постоянное напряжение эмиттер-база …. 0,2 В
  • Импульсный ток коллектора при Т = 298 К Ти≤10 мкс, Q ≥100 …. 140 мА
  • Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 213-303 К …. 175 мВт
  • Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 343 К …. 85 мВт
  • Рассеивающая мощность коллектора в режиме усиления мощности при Тк = 213-303 К … 300 мВт
  • Рассеивающая мощность коллектора в режиме усиления мощности при Тк = 343 К … 120 мВт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Электронные часы

    Электронные часы

    В данной статье будут рассмотрены типовые узлы электронных часов и их принцип работы. Основа электронных часов микросхема К176ИЕ12 в состав которой входят: генератор с внешним кварцевым резонатором на частоту 32768Гц два делителя частоты СТ2 на 32768 и СТ60 на 60 (см. рис. А.) При подключении к микросхеме кварцевого резонатора на …Подробнее...
  • Простой лабораторный блок питания

    Как известно, для питания схем на операционных усилителях требуется двуполярный стабилизированный источник питания ±15 В. Желательно иметь в лабораторном блоке питания и регулируемый источник питания при выходном токе до 1 А. Принципиальная электрическая схема блока питания, отвечающая этим требованиям, изображена на рис.1. Снимаемое со вторичной обмотки трансформатора Т1 напряжение 14… …Подробнее...
  • Запуск перегоревшей люминесцентной лампы

    Запуск перегоревшей люминесцентной лампы

    На рисунке показана простая схема позволяющая продлить использование люминесцентной лампы даже с перегоревшими нитями накала. При выборе элементов схемы необходимо руководствоваться таблицей. Мощность лампы С1, С4 С2, С3 Д1-Д4 R1 Вт мкФ пФ Ом 30 40 80 100 4 10 20 20 3300 6800 6800 6800 Д226Б Д226Б Д205 Д231 …Подробнее...
  • Электронный балласт для люминесцентной лампы

    Электронный балласт для люминесцентной лампы

    Электронный балласт для люминесцентной лампы показанная на рисунке позволяет обойтись без пускателей и дросселей при запуске люминесцентной лампы. Электронный балласт основан на микросхеме L6569. Схема питается от сетевого напряжения 110В и 220В и рассчитана для питания люминесцентной лампы мощностью 18Вт. Схема не содержит дорогостоящих компонентов. Бурное развитие энергосберегающих технологий в …Подробнее...
  • Индикатор магнитного поля — детектор скрытой проводки

    Вокруг проводников, по которым протекает переменный ток, создается не только переменное электрическое поле, но и переменное магнитное поле. Поэтому для обнаружения скрытой проводки можно регистрировать переменное магнитное поле. Индикатор магнитного поля содержит датчик магнитного поля В1, усилитель переменного тока на ОУ DA1 и компаратор напряжения на ОУ DA2. Если датчик …Подробнее...