| Ваш IP: 34.204.169.230 | Online(28) - гости: 15, боты: 13 | Загрузка сервера: 0.86 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора CT60AM-18F
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора CT60AM-18F

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 180W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 900V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 900V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±30V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 60A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 0.05/0.2µS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 4400pF
  • Производитель: MITSUBISHI
  • Тип корпуса: TO264
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTG34N100E2N-Channel208W1000V2.8V1000V±20V55A100/610nSTO247
G34N100E2N-Channel208W1000V2.8V1000V±20V55A100/610nSTO247
TA9895N-Channel208W1000V2.8V1000V±20V55A100/610nSTO247
Просмотров: 291 163