| Ваш IP: 3.133.108.241 | Online(8) - гости: 1, боты: 7 | Загрузка сервера: 0.23 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTG34N100E2
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора HGTG34N100E2

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 208W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 1000V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 1000V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 55A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 100/610nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: TO247
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
CT60AM-18FN-Channel180W900V2.1V900V±30V60A0.05/0.2µS4400pFTO264
G34N100E2N-Channel208W1000V2.8V1000V±20V55A100/610nSTO247
TA9895N-Channel208W1000V2.8V1000V±20V55A100/610nSTO247
Просмотров: 295 443