| Ваш IP: 18.191.117.103 | Online(38) - гости: 12, боты: 26 | Загрузка сервера: 0.56 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N111A
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N111A

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 130mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 24 pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: TO22
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2G396 Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 (min) TO5
2N396A Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 ... 150TO5
T3002 Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 ... 150TO5
Просмотров: 2 364 992