| Ваш IP: 3.144.237.77 | Online(23) - гости: 11, боты: 11 | Загрузка сервера: 0.97 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G396
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2G396

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 18 pF
  • Производитель: TADIRAN
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N396A Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 ... 150TO5
T3002 Gepnp150mW30V20V20V200mA4MHz30 ... 150TO5
Просмотров: 2 364 880