1Т362А, ГТ362А, ГТ362Б — германиевые транзисторы, планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 2,25 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими и плоскими выводами.
Граничная частота при Uкб =3 В, Iэ = 5 мА не:
- менее …. 2,4 ГГц
- типовое значение …. 4,8 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =3 В, Iэ = 5 мА, f = 100 МГц не более:
- 1Т362А, ГТ362А …. 10 пс
- ГТ362Б …. 20 пс
Минимальный коэффициент шума при Iэ = 2 мА, f = 2,2 ГГц не более:
- при Uкб = 3 В 1Т362А, ГТ362А …. 4,5 дБ
- при Uкб = 3 В ГТ362Б …. 5,5 дБ
- при Uкб = 5 В 1Т362А …. 4,5 дБ
типовое значение для 1Т362А
- при Uкб = 3 В …. 3,7 дБ
- при Uкб = 5 В …. 3 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iэ = 5 мА, Т = 298 К:
- 1Т362А, ГТ362А …. 10-200
- ГТ362Б …. 10-250
Обратный ток коллектора при Uкб = 5 В, Т = 298 К не более …. 5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 343 К для 1Т362А не более …. 30 мкА
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, Uэб = 0,2 В не более:
- 1Т362А …. 50 мкА
- ГТ362А, ГТ362Б …. 100 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более 1 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,2 В не более …. 1 пФ
Коэффициент отражения входной цепи в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iк = 2 мА, f = 1,95 ГГц:
- модуль …. 0,04
- фаза …. -165º
Коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iк = 2 мА, f = 1,95 ГГц:
- модуль …. 0,2
- фаза …. 50º
Коэффициент прямой передачи напряжения в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iк = 2 мА, f = 1,95 ГГц:
- модуль …. 1,6
- фаза …. 38º
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме с общим эмиттером при Uкб = 3 В, Iк = 2 мА, f = 1,95 ГГц:
- модуль …. 0,54
- фаза …. -72º
Предельные эксплуатационные данные
- Постоянное напряжение коллектор-база … 5 В
- Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rэб = 1 кОм …. 5 В
- Постоянное напряжение эмиттер- база …. 0,2 В
- Постоянный ток коллектора …. 10 мА
- Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т =298 К …. 40 мВт
- Импульсная СВЧ мощность, падающая на вход транзистора при Т = 343 К, f = 1 ГГц, Q = 15 …. 80 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...