| Ваш IP: 18.191.215.30 | Online(37) - гости: 3, боты: 34 | Загрузка сервера: 0.32 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MGP7N60E
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора MGP7N60E

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 81W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 7A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 22/64nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 610pF
  • Производитель: ON Semi
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
STGB3NB60HDN-Channel70W600V2.8V600V±20V6A16/30nS235pFDPAK
STGP7NB60HDN-Channel80W600V2.8V600V±20V7A15/48nS560pFTO220
Просмотров: 309 415